[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

子集电极层，配置在基板上且由半导体构成；

双极晶体管，包括：集电极层，配置在所述子集电极层上且由载流子浓度比所述子集电极层的载流子浓度低的半导体构成；基极层，配置在所述集电极层上且由半导体构成；以及发射极层，配置在所述基极层上且由半导体构成；以及

第一保护二极管，包括第一肖特基电极，该第一肖特基电极在所述集电极层的上表面的一部分的区域中与所述集电极层肖特基接触，并且与所述基极层以及所述发射极层中的一方连接，

在所述集电极层中，与所述基极层接合的部分和与所述第一肖特基电极接合的部分经由所述集电极层电连接，

所述集电极层的下层部分构成配置在所述子集电极层上的台面形状的第一台面部分，

在所述第一台面部分上形成的第二台面部分包括所述集电极层的上层部分以及所述基极层，

所述第一肖特基电极与所述第一台面部分的上表面肖特基接触，

所述第一台面部分是所述集电极层从所述子集电极层的表面延伸且与所述集电极层的任何其他周围部分分离的单个部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具有包括第二肖特基电极的第二保护二极管，该第二肖特基电极在与所述集电极层肖特基接触有所述第一肖特基电极的区域不同的区域中与所述集电极层肖特基接触，并且与所述基极层以及所述发射极层中未与所述第一肖特基电极连接的层连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还具有：

集电极电极，与所述子集电极层欧姆连接；

基极电极，与所述基极层欧姆连接；以及

发射极电极，与所述发射极层欧姆连接，

所述集电极电极包括在俯视时夹着或者包围一个区域的一个或者多个导体部分，在被所述集电极电极夹着或者包围的基极-发射极配置区域配置有所述第一保护二极管的第一肖特基接触区域、所述基极电极、以及所述发射极电极。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第一肖特基接触区域、所述发射极电极、以及所述基极电极分别包括在第一方向上长的部分，所述第一肖特基接触区域、所述发射极电极、以及所述基极电极的在所述第一方向上长的部分在与所述第一方向正交的方向排列配置。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述发射极电极以及所述基极电极分别包括在第一方向上长的部分，所述发射极电极以及所述基极电极的在所述第一方向上长的部分在与所述第一方向正交的方向排列配置，所述第一肖特基接触区域配置在与所述发射极电极以及所述基极电极中的至少一方的电极在所述第一方向上分离的位置。

6.根据权利要求4或者5所述的半导体装置，还具有：

层间绝缘膜，配置在所述发射极电极以及所述基极电极上，与所述发射极电极以及所述基极电极分别对应地设置有接触孔；以及

发射极布线和基极布线，配置在所述层间绝缘膜上，并且分别经由所述接触孔内部与所述发射极电极以及所述基极电极连接，

所述接触孔包括分别沿着所述发射极电极以及所述基极电极的在所述第一方向上长的部分配置的部分。