[发明专利]一种微电子芯片封装处理材料及其制备方法在审
申请号: | 201810743775.6 | 申请日: | 2018-07-09 |
公开(公告)号: | CN108794995A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 程华风 | 申请(专利权)人: | 合肥连森裕腾新材料科技开发有限公司 |
主分类号: | C08L63/10 | 分类号: | C08L63/10;C08L75/04;C08L61/24;C08L61/14;C08K13/04;C08K7/26;C08K3/26;C08K3/30 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 230000 安徽省合肥市经济技*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微电子芯片封装 处理材料 制备 端羟基聚丁二烯 环氧丙烯酸树脂 甲基丙烯酸甲酯 甲基异丁基甲醇 导热 改性酚醛树脂 甲基吡咯烷酮 聚氨基甲酸酯 尿素甲醛树脂 双马来酰亚胺 远红外陶瓷粉 丙烯酸丁酯 超细碳酸钙 二羟乙基 防静电剂 光引发剂 硫酸钡粉 耐热能力 粉石英 牛脂基 水溶剂 氧化胺 折射率 质量份 散热 丙酸 戊酯 液碱 粘结 添加剂 表现 | ||
1.一种微电子芯片封装处理材料,其特征是:由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯18~22份、尿素甲醛树脂16~20份、丙烯酸丁酯16~20份、甲基丙烯酸甲酯14~18份、改性酚醛树脂16~20份、甲基异丁基甲醇16~20份、牛脂基二羟乙基氧化胺14~18份、N~甲基吡咯烷酮16~20份、丙酸戊酯16~20份、水溶剂2~10份、光引发剂3~5份、添加剂1~1.5份、防静电剂5~15份、环氧丙烯酸树脂10~30份、液碱5~10份、多孔粉石英1~3份、超细碳酸钙2~5份、硫酸钡粉2~5份、远红外陶瓷粉1~6份、双马来酰亚胺1~5份、端羟基聚丁二烯3~6份。
2.根据权利要求1所述的一种微电子芯片封装处理材料,其特征是:由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯19~21份、尿素甲醛树脂17~19份、丙烯酸丁酯17~19份、甲基丙烯酸甲酯15~17份、改性酚醛树脂17~19份、甲基异丁基甲醇17~19份、牛脂基二羟乙基氧化胺15~17份、N~甲基吡咯烷酮17~19份、丙酸戊酯17~19份、水溶剂4~8份、光引发剂3.5~4.5份、添加剂1.2~1.4份、防静电剂8~12份、环氧丙烯酸树脂15~25份、液碱6~8份、多孔粉石英1.5~2.5份、超细碳酸钙3~4份、硫酸钡粉3~4份、远红外陶瓷粉2~5份、双马来酰亚胺2~4份、端羟基聚丁二烯4~5份。
3.根据权利要求1所述的一种微电子芯片封装处理材料,其特征是:由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯20份、尿素甲醛树脂18份、丙烯酸丁酯18份、甲基丙烯酸甲酯16份、改性酚醛树脂18份、甲基异丁基甲醇18份、牛脂基二羟乙基氧化胺16份、N~甲基吡咯烷酮18份、丙酸戊酯18份、水溶剂6份、光引发剂4份、添加剂1.3份、防静电剂10份、环氧丙烯酸树脂20份、液碱7份、多孔粉石英2份、超细碳酸钙3.5份、硫酸钡粉3.5份、远红外陶瓷粉3.5份、双马来酰亚胺3份、端羟基聚丁二烯4.5份。
4.根据权利要求1所述的一种微电子芯片封装处理材料,其特征是:所述改性酚醛树脂由酚醛树脂改性制得,改性方法为:首先将酚醛树脂升温至100℃,然后加入酚醛树脂质量分数10%的量的淀粉,搅拌均匀后入磁力搅拌设备中匀速搅拌1~2分钟,然后再加入EVA树脂质量分数2%的量的海藻糖,搅拌均匀即可。
5.根据权利要求1所述的一种微电子芯片封装处理材料,其特征是:所述添加剂由水、硅微粉、丙三醇、蓖麻油混合搅拌而成,混合时各物质的比例为:3:1:1:0.5。
6.根据权利要求1所述的一种微电子芯片封装处理材料,其特征是:所述光引发剂为重氮盐、二芳基碘鎓盐、三芳基硫鎓盐、烷基硫鎓盐、铁芳烃盐、磺酰氧基酮及三芳基硅氧醚中的一种或两种的组合。
7.一种如权利要求1~6任一所述的微电子芯片封装处理材料的制备方法,其特征是,包括如下步骤:
S1、将所述质量份数的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、水溶剂、环氧丙烯酸树脂、液碱、多孔粉石英原料依次加入到反应釜内进行搅拌混合,搅拌速度为5000~5400r/min,搅拌时间为30~60min,搅拌均匀后取出,入紫外线杀菌房中用紫外线杀菌3~5分钟后,继续静置10分钟;
S2、将所述质量份数的超细碳酸钙、硫酸钡粉、远红外陶瓷粉依次加入到反应釜内,然后继续搅拌,搅拌速度为4800~5200r/min,搅拌时间为30~50min,搅拌均匀后取出,入紫外线杀菌房中用紫外线杀菌3~5分钟后,继续静置10分钟;
S3、将步骤S2中杀菌后的原料与光引发剂、添加剂、防静电剂、双马来酰亚胺、端羟基聚丁二烯一起入反应釜内加温至50℃后再次搅拌,搅拌速度为3600~4200r/min,搅拌时间为3~5min,搅拌均匀后制得本品。
8.如权利要求1~6任一所述的微电子芯片封装处理材料用于制备微电子芯片封装材料的用途。
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