[发明专利]在化学气相沉积中校准温度的方法

说明书

在化学气相沉积中校准温度的方法中，提供半导体基板。在半导体基板中定义至少一第一沟槽。此至少一第一沟槽具有第一深度(d₁)。在设定一处理温度(T)下，使用至少一前驱物将涂布层沉积于半导体基板上。此涂布层定义出具有第二深度(d₂)的至少一第二沟槽，且此至少一第二沟槽位于上述至少一第一沟槽上。决定第二深度(d₂)相对于第一深度(d₁)的深度参数(t)。然后，根据一预定标准参考曲线决定一处理温度(T)，其中此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度参数与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。

技术领域

关于一种校准温度的方法，特别是关于在化学气相沉积中校准温度的方法。

背景技术

随着半导体装置的规模尺寸越来越小，目前正在研究新的材料和概念以达到先进的性能目标。每个步骤的制程条件对于控制半导体装置的品质也是非常重要的。

化学气相沉积(CVD)是一种通过使用热、电浆(plasma)、紫外线(ultraviolet)、或其他能源或其组合来分解气态化学物以形成稳定固体的方法。反应物气体通过晶圆上方，在晶圆上引起反应物材料的化学气相沉积而形成薄层。举例来说，硅的外延生长可以通过化学气相沉积来实现，此化学气相沉积是使用热作为能源，以分解一或多种气体化学物。CVD制程中的温度会影响沉积产物的生长速率(growth rate)和形态(morphology)。各种制程条件，例如温度的均匀性和反应气体的分布，必须仔细地控制以确保沉积层和形成半导体装置的高品质。

发明内容

根据本揭露的一态样，提供一种用于半导体处理的方法。这种方法包含以下过程。提供一半导体基板。于半导体基板内定义出至少一第一沟槽。此至少一第一沟槽具有一第一深度(d₁)。在一处理温度(T)的一设定下，使用至少一前驱物并通过化学气相沉积(CVD)沉积一涂布层于半导体基板上。涂布层填满至少一第一沟槽，并定义出具有一第二深度(d₂)的至少一第二沟槽，且此至少一第二沟槽位于至少一第一沟槽上。决定相对于第一深度(d₁)的第二深度(d₂)的深度参数(t)。根据预定标准参考曲线决定一处理温度(T)的过程，此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度参数与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。

附图说明

当结合随附附图进行阅读时，本揭露发明实施例的详细描述将能被充分地理解。应注意，根据业界标准实务，各特征并非按比例绘制且仅用于图示目的。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。在说明书及附图中以相同的标号表示相似的特征。

图1绘示了根据一些实施方式中包含设置在半导体基板上的涂布层的示例性装置的一部分剖面示意图；

图2A绘示了根据一些实施方式的用于校准和调节用于制造涂布层的处理腔室温度的示例性方法的流程图；

图2B绘示了根据一些实施方式的用于产生预定标准参考曲线的示例性方法的流程图；

图3绘示了根据一些实施方式的在其中定义出至少一沟槽的示例性半导体基板的一部分剖面图；

图4绘示了具有设置在图3的半导体基板上的涂布层的示例性结构剖面图；

图5绘示了根据一些实施方式的位于半导体基板上的沟槽的示例性位置平面图；

图6绘示了根据一些实施方式的位于半导体基板上的多个沟槽的平面图；

图7绘示了具有不同尺寸标号的图4示例性结构的剖面图；

图8绘示了根据一些实施方式的用于在其中定义了至少一沟槽的半导体基板上外延生长硅的化学气相沉积(CVD)的示例性过程的示意图；