[发明专利]一种窄带绿光荧光粉及其制备方法和白光LED发光装置

权利要求书

1.一种用于显示器件的窄带绿光荧光粉，其特征在于，其化学组成式为Rb_xLi_ySiO_z:aEu²⁺，其中3＜x+y＜5，3.8≤z≤4.2，0.005≤a≤0.2。

2.根据权利要求1所述的窄带绿光荧光粉，其特征在于，3.5＜x+y＜4.5，3.9≤z≤4.1，0.04≤a≤0.1。

3.根据权利要求1或2所述的窄带绿光荧光粉，其特征在于，3.8＜x+y＜4.2，z＝4，0.06≤a≤0.08。

4.一种制备权利要求1-3任一项所述的用于显示器件的窄带绿光荧光粉的方法，包括下列步骤：

1)按通式Rb_xLi_ySiO_z:aEu²⁺的化学计量比准确称取原料，其中x,y,z和a值如权利要求1-3所述；

2)将步骤1)得到的原料研磨混合均匀，在箱式炉中预烧，得到中间体；

3)将步骤2)得到的中间体研磨成粉末后在N₂/H₂气氛中煅烧，从而得到烧结体；

4)将步骤3)得到的烧结体研磨成粉末，即得所述发光材料。

5.根据权利要求4所述的用于显示器件的窄带绿光荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤2)所述的预烧温度为400-550℃，时间为2-6h。

6.根据权利要求4所述的用于显示器件的窄带绿光荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤3)所述的煅烧温度是600-1000℃，煅烧时间3-12h。

7.一种白光LED发光装置，发光装置包括封装基板、蓝光LED芯片以及能够有效吸收LED芯片发光并释放红、绿光的两种荧光粉；其特征在于绿光荧光粉为化学组成式为Rb_xLi_ySiO_z:aEu²⁺的用于显示器件的窄带绿光荧光粉。

8.如权利要求7所述一种白光LED发光装置，其特征在于所述蓝光LED芯片为InGaN半导体芯片，其发光峰值波长为455nm，红光荧光粉为K₂SiF₆:Mn⁴⁺。