[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，上述半导体元件包括：

一基底，定义有一栅极衬垫区；

一静电放电保护多晶硅层，设置于上述基底的上述栅极衬垫区上方且与上述基底电性隔离，上述静电放电保护多晶硅层包括：

具有一第一电性的一第一掺杂区、一第二掺杂区及一第三掺杂区；以及

具有一第二电性的一第四掺杂区，其中上述第一掺杂区位于上述栅极衬垫区周缘，上述第一掺杂区连接上述第二掺杂区，上述第四掺杂区设置于上述第一掺杂区、上述第二掺杂区及上述第三掺杂区之间；

一第一绝缘层，设置于上述静电放电保护多晶硅层上方；

一第一金属层，设置于上述第一绝缘层上方，上述第一金属层包括一第一部分与一第二部分，且一隔离部设置于上述第一部分与上述第二部分之间；以及

一第一接触部及一第二接触部，设置于上述第一绝缘层中，且穿透上述第一绝缘层，上述第一接触部电性连接上述第一掺杂区与上述第一金属层的上述第一部分，上述第二接触部电性连接上述第三掺杂区与上述第一金属层的上述第二部分。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，上述第二掺杂区与上述第三掺杂区具有图案化配置且彼此分离。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，上述半导体元件还包括：

一第二金属层，设置于上述第一绝缘层上，且具有对应于上述第一掺杂区、上述第二掺杂区及上述第三掺杂区的第二金属层图案。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，上述半导体元件还包括：

一第二绝缘层，设置于上述第二金属层与上述静电放电保护多晶硅层之间，上述第二绝缘层包括多个接触部，分别连接上述第一掺杂区、上述第二掺杂区与上述第三掺杂区以及对应于上述第一掺杂区、上述第二掺杂区及上述第三掺杂区的上述第二金属层图案。

5.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，该第一金属层的该第二部分与该第二掺杂区及其对应的该第二金属层电性隔离。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，设置于上述栅极衬垫区的一中心位置的上述静电放电保护多晶硅层的掺杂浓度高于设置于上述栅极衬垫区的一周边位置的上述静电放电保护多晶硅层的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，当上述半导体元件正常运作时，上述半导体元件的工作电压低于上述静电放电保护多晶硅层的崩溃电压，上述第一掺杂区与上述第三掺杂区彼此不导通。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，当一静电放电事件发生时，上述静电放电保护多晶硅层因崩溃而导通，致使上述第一掺杂区至上述第二掺杂区的电流路径导通，一静电放电电流从上述第一金属层的上述第一部分流入并依序经由上述第一接触部与上述第三掺杂区、上述第四掺杂区、上述第二掺杂区而流至上述第一掺杂区后再经由上述第一金属层的上述第二部分流出。