[发明专利]电感耦合装置和半导体处理设备

权利要求书

1.一种电感耦合装置，用于在工艺腔室内激发并维持等离子体，所述电感耦合装置包括射频电源、第一匹配器、介质窗以及与所述介质窗连接的射频线圈，所述射频线圈的输入端经由所述第一匹配器与所述射频电源电连接，其特征在于，所述电感耦合装置还包括电流导流件；

所述电流导流件用于与所述工艺腔室的等离子体产生区域直接接触且所述电流导流件接地，以导出所述射频线圈产生的容性电流；

所述电流导流件包括：

主体导流部，呈环状结构，所述主体导流部与所述工艺腔室的等离子体产生区域直接接触；

接地部，自所述主体导流部的外侧壁向远离其中心方向延伸形成，所述接地部直接接地。

2.根据权利要求1所述的电感耦合装置，其特征在于，所述主体导流部的内侧壁设置有陶瓷涂层。

3.根据权利要求1所述的电感耦合装置，其特征在于，所述环状结构包括多个沿其周向间隔设置的分环结构，并且；

在相邻两个所述分环结构之间设置有介质隔离件，以阻止高频电场形成的涡流对射频线圈所产生的电磁场的干扰。

4.根据权利要求3所述的电感耦合装置，其特征在于，相邻两个所述分环结构的端部处均设置有台阶容纳部，所述台阶容纳部的形状与所述介质隔离件的形状相匹配，以容置所述介质隔离件。

5.根据权利要求3所述的电感耦合装置，其特征在于，所述主体导流部、所述介质隔离件的尺寸满足下述至少一项关系式：

H＞20mm；

Th＞2mm；

Dis≥25mm；其中，

H为所述主体导流部的高度，Th为所述介质隔离件的厚度，Dis为所述主体导流部的沿其轴向的端部与所述射频线圈的最小距离。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的电感耦合装置，其特征在于，

所述介质窗包括沿其轴向上下并排间隔设置的至少两个子介质窗；

所述射频线圈包括至少两个并联连接的子射频线圈，每个子射频线圈环绕在与其所对应的所述子介质窗的周侧；并且，

在相邻两个所述子介质窗之间均设置有所述电流导流件。

7.根据权利要求6所述的电感耦合装置，其特征在于，

相邻两个所述子介质窗对称分布在与其对应的所述电流导流件的沿其轴向的两侧；和/或，

相邻两个所述子射频线圈对称分布在与其对应的所述电流导流件的沿其轴向的两侧，并且，该相邻两个所述子射频线圈的输出端相对设置，输入端相背设置。

8.根据权利要求1至5中任意一项所述的电感耦合装置，其特征在于，还包括：

接地电容，所述接地电容的第一极与所述射频线圈的输出端电连接，所述接地电容的第二极直接接地。

9.根据权利要求8所述的电感耦合装置，其特征在于，所述接地电容的容抗为所述射频线圈的感抗的1/4～3/4。

10.一种半导体处理设备，包括工艺腔室和电感耦合装置，其特征在于，所述电感耦合装置为权利要求1至9中任意一项所述的电感耦合装置。