[发明专利]用于反渗透膜结硅垢的清洗工艺在审

专利信息
申请号: 201810750585.7 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN109019773A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 王炜 申请(专利权)人: 上海洗霸科技股份有限公司
主分类号: C02F1/44 分类号: C02F1/44;B01D65/02;B01D61/10
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 褚明伟
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 反渗透膜 硅垢 清洗工艺 清洗液 清洗 化学药剂 原有的 污染 反渗透膜系统 金属氧化物 微生物污染 化学清洗 清洗效果 使用寿命 性能要求 膜元件 无机垢 油类 恢复 污染物 安全
【说明书】:

发明涉及用于反渗透膜结硅垢的清洗工艺,包括以下步骤:(a)首先采用高pH清洗液清洗受污染的反渗透膜上的油类和微生物污染;(b)然后采用低pH清洗液清洗受污染的反渗透膜上的无机垢类或金属氧化物污染;(c)最后采用特定的化学药剂配制成硅垢清洗液进行反渗透膜硅垢清洗,使反渗透膜恢复其原有的性能。与现有技术相比,本发明采用特定的化学药剂,改变污染物的组成或属性,来实现对已结特殊硅垢的反渗透膜系统的化学清洗,使膜元件恢复其原有的性能要求。本清洗工艺操作简便,运行安全,可广泛推广,清洗效果稳定,能够延长反渗透膜的使用寿命。

技术领域

本发明属于石油工业环保与节能水处理的技术领域,尤其是涉及用于反渗透膜结硅垢的清洗工艺。

背景技术

近年来,随着炼化装置规模的扩容和目前的炼化工艺水平,企业用水量剧增。面对水资源贫乏的地域,各大中型炼化企业不得不推行污水回用处理工程,而反渗透膜技术作为一种新型分离技术,是炼化废水处理应用最广泛的技术之一。但在污水回用处理过程中,由于形成硬度的钙镁离子含量较高,危害明显,对其处理较为重视,但对于溶解性硅化合物的处理尚未引起足够的重视。一旦硅化合物在反渗透膜表面形成致密的硅垢,难于用普通的方法清洗,严重影响反渗透膜的长周期安全运行。

到目前为止,采用反渗透膜技术处理高硅或含硅废水的工程中,防止反渗透膜结特殊难清洗硅垢的方法有石灰法除硅、酸碱调pH值除硅、絮凝沉降法、阻硅阻垢剂等。但这些方法牵涉实时监测来水水质,实时调整过程控制工艺,实时监控反渗透膜系统运行状况以及阻硅阻垢剂的阻垢效果等,难免会有疏忽的情况,一旦溶解性硅化合物控制出现波动,必然会造成反渗透膜结硅垢,从而导致反渗透系统产水量、脱盐率、压差等运行参数的恶化。这个时候采用一般的酸碱化学清洗方法只能将反渗透膜表面碳酸盐垢去除,无法对已形成的顽固硅垢进行有效清洗。

发明内容

本发明的目的在于避免上述现有技术缺陷而提供用于反渗透膜结硅垢的清洗工艺。

本发明主要是针对现有反渗透阻硅垢技术不能稳定控制运行工艺而仍会出现反渗透膜结硅垢的问题,而提出采用特定的化学药剂,改变污染物的组成或属性,来实现对已结特殊硅垢的反渗透膜系统的化学清洗,使膜元件恢复其原有的性能要求。

本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:

用于反渗透膜结硅垢的清洗工艺,包括以下步骤:

(a)首先采用高pH清洗液清洗受污染的反渗透膜上的油类和微生物污染;

(b)然后采用低pH清洗液清洗受污染的反渗透膜上的无机垢类或金属氧化物污染;

(c)最后采用特定的化学药剂配制成硅垢清洗液进行反渗透膜硅垢清洗,使反渗透膜恢复其原有的性能。

在本发明的一个实施方式中,步骤(a)中所述高pH清洗液为含有EDTA的碱液,其pH值为9~11,所述EDTA的质量分数为1%,碱液包括NaOH。

在本发明的一个实施方式中,步骤(a)中所述高pH清洗液冲洗2~3h后,停止碱洗。

在本发明的一个实施方式中,步骤(a)中所述高pH清洗液冲洗后,将高pH清洗液放空,继续用反渗透产水冲洗至运行所需pH。

在本发明的一个实施方式中,步骤(b)中所述低pH清洗液为酸溶液,其pH值为3~5,酸溶液包括盐酸。

在本发明的一个实施方式中,步骤(b)中所述低pH清洗液冲洗2~3h后,停止酸洗。

在本发明的一个实施方式中,步骤(b)中所述低pH清洗液冲洗后,将低pH清洗液放空,继续用反渗透产水冲洗至运行所需pH。

在本发明的一个实施方式中,所述硅垢清洗液为质量分数为2~5%的含氟溶液,所述含氟溶液包括氟化氢铵或氢氟酸溶液等。

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