[发明专利]太阳能电池制作方法有效

专利信息
申请号: 201810750610.1 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN108878592B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 林刘毓;丘立安;刘浩哲;罗伯特·维斯 申请(专利权)人: 成都先锋材料有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张欣欣
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 制作方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池制作方法,其特征在于,包括:

提供一模具,其中,该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽;

针对每一固定槽,将一衬底固定于该固定槽,其中,所述衬底为铁材料层;

针对每一衬底,在该衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层;

针对每一阻挡层,在该阻挡层的上方位置的一面制作电极层,其中,所述电极层为钼材料层;

针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层;

针对每一吸收层,在该吸收层的上方位置的一面通过物理气相沉积法制作三硫化二铟材料层、三硒化二铟材料层或硫化锌材料层,其中,所述三硫化二铟材料层、三硒化二铟材料层或硫化锌材料层作为缓冲层;

通过三氧化二铟或氧气对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节;

针对每一缓冲层,在该缓冲层的上方位置的一面通过物理气相沉积法制作本征氧化锌材料层,其中,所述本征氧化锌材料层作为高阻抗层;

针对每一高阻抗层,在该高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层;

分离所述模具,以得到N*M片具有保护层、衬底、阻挡层、电极层、吸收层、缓冲层、高阻抗层以及低阻抗层的太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层的步骤包括:

针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作铜铟镓硒材料层,其中,所述铜铟镓硒材料层作为吸收层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层的步骤还包括:

针对每一铜铟镓硒材料层,通过硒化氢对该铜铟镓硒材料层进行硒化处理。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层的步骤还包括:

针对每一铜铟镓硒材料层,通过硫化氢对该铜铟镓硒材料层进行硫化处理。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一高阻抗层,在该高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层的步骤包括:

针对每一高阻抗层,在该高阻抗层的上方位置的一面通过物理气相沉积法制作参铝氧化锌材料层,其中,所述参铝氧化锌材料层作为低阻抗层。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一衬底,在该衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层的步骤包括:

针对每一衬底,在该衬底的下方位置的一面制作保护层;

针对每一衬底,在该衬底的上方位置的一面制作阻挡层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,针对每一衬底,在该衬底的上方位置的一面制作阻挡层的步骤包括:

针对每一衬底,在该衬底的上方位置的一面制作钨钛合金材料层,其中,该钨钛合金材料层作为阻挡层。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,针对每一衬底,在该衬底的下方位置的一面制作保护层的步骤包括:

针对每一衬底,在该衬底的下方位置的一面制作氮化钛材料层、铬材料层、镍材料层、钨钛合金材料层和/或镍钒合金材料层,其中,该氮化钛材料层、铬材料层、镍材料层、钨钛合金材料层和/或镍钒合金材料层作为保护层。

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