[发明专利]一种用于超级电容器的金属箔集流体在审
| 申请号： | 201810751637.2 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108735527A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 袁美蓉;陈宇峰;董连军;陈玉奇;郑斌 | 申请（专利权）人： | 肇庆华锋电子铝箔股份有限公司;深圳清华大学研究院;肇庆市高要区华锋电子铝箔有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/68 | 分类号： | H01G11/68;H01G11/70;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 舒畅 |
| 地址： | 526000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属箔 纳米碳膜 超级电容器 集流体 集流体本体 磁控溅射沉积 纳米碳材料 导电性 机械稳定性 集流体表面 完全接触 运行过程 综合性能 分散性 有效地 电容 本征 内热 阻抗 组装 | ||
1.一种用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：包括金属箔集流体本体，所述金属箔集流体本体表面通过磁控溅射沉积有纳米碳膜，所述纳米碳膜的比表面积为2000～4000m2/g。
2.根据权利要求1所述的用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：所述金属箔集流体本体为铜箔集流体或铝箔集流体。
3.根据权利要求1所述的用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：所述纳米碳膜的厚度为0.1～200um。
4.根据权利要求1所述的用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：所述磁控溅射所采用的电源包括并联设置的直流电源和射频电源。
5.根据权利要求4所述的用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：所述磁控溅射所采用的靶材为人造石墨、天然石墨、活性炭、中间相碳微球、碳纳米管、石墨烯和炭黑中的一种。
6.根据权利要求5所述的用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：所述磁控溅射所采用的靶材为天然石墨。
7.根据权利要求5所述的用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：所述磁控溅射所采用的背底真空度为5*10-4～5*10-3Pa，氩气偏压为0.2～2Pa。
8.根据权利要求1所述的用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：所述磁控溅射所采用的靶基距离为2～20cm。
9.根据权利要求1所述的用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：所述磁控溅射所采用的溅射功率为50～500W。
10.根据权利要求1所述的用于超级电容器的金属箔集流体，其特征在于：所述磁控溅射的溅射镀膜时间为10～200min。
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