[发明专利]低强度辐射的涂覆膜的制备方法

权利要求书

1.低强度辐射的涂覆膜的制备方法，其特征在于技术方案由以下步骤组成：

在反应釜中，按照体积比（0.1～10）：1混合丙酮和二甲基甲酰胺，制得混合溶液；加入混合溶液重量的0.5～2.5%重量且经过辐射处理的涂覆剂，超声波振荡1～30 min，制得混合均匀的悬浊液；在悬浊液中加入混合溶液重量的1～5%重量的聚偏氟乙烯-六氟丙烯，再加入混合溶液重量的0.5～2.5%重量的聚甲基丙烯酸甲酯；超声波振荡10～50min；在50～90℃下搅拌8～12 h，使反应釜中溶液转变为粘稠液体；将基膜平铺开，进行辐射处理；将粘稠液体涂覆在经过辐射处理的基膜表面上，于50～110℃温度区间的任一温度真空干燥或鼓风干燥，制得涂覆膜。

2.根据权利要求1所述的低强度辐射的涂覆膜的制备方法，其特征在于所述的真空干燥是在0.1～0.00001atm压力下进行的加热干燥。

3.根据权利要求1所述的低强度辐射的涂覆膜的制备，其特征在于所述的经过辐射处理的涂覆剂是粒径在10nm～5μm范围且经过辐射处理的三价离子磷酸盐或二价离子磷酸盐。

4.根据权利要求3所述的低强度辐射的涂覆膜的制备方法，其特征在于所述的三价离子磷酸盐是磷酸铝、磷酸钪、磷酸铁、磷酸镓或磷酸钇。

5.根据权利要求3所述的低强度辐射的涂覆膜的制备方法，其特征在于所述的二价离子磷酸盐是磷酸镁、磷酸锌、磷酸钙、磷酸铜或磷酸钡。

6.根据权利要求1或权利要求3所述的低强度辐射的涂覆膜的制备方法，其特征在于所述的辐射处理是在电晕放电、介质阻挡放电、射频低温等离子体放电、射流低温等离子放电、大气压辉光放电或次大气压辉光放电的条件下处理10 s～10min。

7.根据权利要求1所述的低强度辐射的涂覆膜的制备方法，其特征在于所述的聚偏氟乙烯-六氟丙烯是平均分子量在20～280万范围的聚偏氟乙烯-六氟丙烯。

8.根据权利要求1所述的低强度辐射的涂覆膜的制备方法，其特征在于所述的聚甲基丙烯酸甲酯是平均分子量在60～160万范围的聚甲基丙烯酸甲酯。

9.根据权利要求1所述的低强度辐射的涂覆膜的制备方法，其特征在于所述的基膜是聚丙烯或聚乙烯单层膜，或是含有聚丙烯层的多层膜。

10.根据权利要求9所述的低强度辐射的涂覆膜的制备方法，其特征在于所述的多层膜是层数在2～10范围的单层膜组成的隔膜。