[发明专利]一种蚀刻方法

说明书

本发明提供了一种蚀刻方法，包括以下步骤：步骤1、在待蚀刻产品上镀制DLC薄膜；步骤2、激光烧刻DLC薄膜形成DLC图案层；步骤3、将形成DLC图案层的产品放置于蚀刻液中，蚀刻形成产品图案；步骤4、等离子去除DLC图案层。本发明提供的蚀刻方法在待蚀刻产品上设置了DLC薄膜并且通过激光烧刻的方法来形成DLC图案层，在通过蚀刻液的蚀刻之后可以形成产品图案，继而通过等离子去除DLC图案层，可以有效完成待蚀刻产品的蚀刻作业，形成需要的产品图案。无需配合曝光显影的步骤，能够有效避免在曝光显影工艺过程中使用抗蚀刻油有害身体的问题，同时也无需特制用于掩膜板，能够有效降低生产成本，既能保证蚀刻精度，又能有效降低了生产工艺难度。

技术领域

本发明涉及了蚀刻技术领域，特别是涉及了一种蚀刻方法。

背景技术

蚀刻是现有制作多种产品常用的技术手段，例如制作具有特定走线图案的ITO基板或者制作具有条纹的玻璃基板，都需要使用蚀刻工艺。但是现有的蚀刻方法中，为了能够形成特定的走线图案或者基板图案，都需要配合曝光显影的步骤，具体地，需要在蚀刻液蚀刻前在待蚀刻产品上丝印抗蚀刻油，继而进行曝光显影，从而形成了具有特定图案的抗蚀刻图案，从而可以在蚀刻液中蚀刻掉部分区域后形成特定的走线图案或者基板图案。这样一方面在曝光过程中的使用的掩膜板价格昂贵，使得生产成本高昂，另一方面使用的抗蚀刻油气味难闻并且有害身体，生产工艺难度大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是能够有效实现解决蚀刻过程中曝光显影带来的抗蚀刻油有害身体且生产成本高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种蚀刻方法，包括以下步骤：

步骤1、在待蚀刻产品上镀制DLC薄膜；

步骤2、激光烧刻DLC薄膜形成DLC图案层；

步骤3、将形成DLC图案层的产品放置于蚀刻液中，蚀刻形成产品图案；

步骤4、等离子去除DLC图案层。

作为本发明的一种优选方案，所述DLC薄膜的厚度为2-1000纳米。

作为本发明的一种优选方案，所述步骤1包括：设置工作靶材，通入氩气和氢气，在真空条件下对所述待蚀刻产品进行磁控溅射形成DLC薄膜。

作为本发明的一种优选方案，所述中氩气的流量为5-100sccm，氢气的流量为5-200sccm。

作为本发明的一种优选方案，所述工作靶材为石墨靶材。

作为本发明的一种优选方案，所述工作靶材电源功率0.5-15kw。

作为本发明的一种优选方案，所述磁控溅射为直流磁控溅射或者中频磁控溅射。

作为本发明的一种优选方案，所述步骤2中激光烧刻DLC薄膜时，激光脉冲占空比为40%-60%。

作为本发明的一种优选方案，所述步骤4包括：将形成产品图案的产品放置于射频等离子设备或直流等离子设备中，通入氩气和氢气进行等离子轰击产品去除DLC图案层，其中，等离子轰击产品时间为10-1000s。

作为本发明的一种优选方案，所述待蚀刻产品为ITO基板或玻璃基板。