[发明专利]现场可编程闸极阵列集成电路芯片

权利要求书

1.一种具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，包括：

一可编程逻辑区块，设在该集成电路芯片内，其中该可编程逻辑区块用于对其输入进行一逻辑运算，其中该可编程逻辑区块包括一查找表、一多工器及一反向器，用于存有对该可编程逻辑区块的多个输入的多个组合分别进行该逻辑运算的多个结果值，其中该可编程逻辑区块用于根据该多个输入的其中一该多个组合从该多个结果值中选择其一作为其输出，其中该多工器具有与该多个结果值相关联的第一组输入及与该可编程逻辑区块的该多个输入相关联的第二组输入，其中该多工器用于根据其第二组输入从其第一组输入中选择其一作为其输出，其中该反向器用于反向其输入作为其输出，其输入与储存在多个第一非挥发性内存单元中的该多个结果值其中之一相关联，其输出耦接至该多工器的该第一组输入其中之一；以及

多个第一非挥发性内存单元，设在该集成电路芯片内，其中该多个第一非挥发性内存单元用于分别储存该多个结果值，其中每一该多个第一非挥发性内存单元包括具有一浮闸极N型MOS晶体管及一浮闸极P型MOS晶体管的一浮闸极CMOS内存单元，其中该浮闸极N型MOS晶体管的闸极端耦接该浮闸极P型MOS晶体管的闸极端，该浮闸极N型MOS晶体管的闸极端与该浮闸极P型MOS晶体管的闸极端为浮空的。

2.如权利要求1所述的具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，该集成电路芯片为一FPGAIC芯片。

3.如权利要求2所述的具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，该集成电路芯片的电源电压介于0.2V至2.5V之间。

4.如权利要求1所述的具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，还包括多个第二非挥发性内存单元，设在该集成电路芯片内，其中该多个第二非挥发性内存单元用于储存，用于控制该集成电路芯片的开关。

5.如权利要求1所述的具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，该浮闸极N型MOS晶体管的闸极包括多晶硅。

6.如权利要求1所述的具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，该浮闸极N型MOS晶体管包括一P型鳍，突出于该集成电路芯片的一P型硅基板并沿一第一方向延伸，其中该浮闸极P型MOS晶体管包括设在该P型硅基板中的一N型阱，且该浮闸极P型MOS晶体管还包括一N型鳍，突出于该N型阱并沿该第一方向延伸，其中每一该多个第一非挥发性内存单元包括一连接线路，以一第二方向从该P型鳍延伸至该N型鳍，其中该第二方向垂直于该第一方向，其中该连接线路覆盖该P型鳍的顶部及相对侧壁及该N型鳍的顶部及相对侧壁，且每一该多个第一非挥发性内存单元包括一氧化物层，位于该P型硅基板的上方、该连接线路与该P型鳍之间及该连接线路与该N型鳍之间。

7.如权利要求6所述的具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，该连接线路在该P型鳍上方沿该第一方向的宽度大于该连接线路在该N型鳍上方沿该第一方向的宽度。

8.如权利要求6所述的具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，该连接线路在该P型鳍上方沿该第一方向的宽度小于该连接线路在该N型鳍上方沿该第一方向的宽度。

9.如权利要求1所述的具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，该浮闸极N型MOS晶体管包括多条P型鳍，突出于该集成电路芯片的一P型硅基板并沿一第一方向延伸，其中该浮闸极P型MOS晶体管包括设在该P型硅基板中的一N型阱，且该浮闸极P型MOS晶体管还包括一N型鳍，突出于该N型阱并沿该第一方向延伸，其中每一该多个第一非挥发性内存单元包括一连接线路，以一第二方向从该多条P型鳍延伸至该N型鳍，其中该第二方向垂直于该第一方向，其中该连接线路覆盖每一该多条P型鳍的顶部及相对侧壁及该N型鳍的顶部及相对侧壁，且每一该多个第一非挥发性内存单元包括一氧化物层，位于该P型硅基板的上方、该连接线路与每一该多条P型鳍之间及该连接线路与该N型鳍之间。

10.如权利要求1所述的具有可编程逻辑区块的集成电路芯片，其特征在于，该浮闸极N型MOS晶体管包括一P型鳍，突出于该集成电路芯片的一P型硅基板并沿一第一方向延伸，其中该浮闸极P型MOS晶体管包括设在该P型硅基板中的一N型阱，且该浮闸极P型MOS晶体管还包括多条N型鳍，突出于该N型阱并沿该第一方向延伸，其中每一该多个第一非挥发性内存单元包括一连接线路，以一第二方向从该P型鳍延伸至该多条N型鳍，其中该第二方向垂直于该第一方向，其中该连接线路覆盖该P型鳍的顶部及相对侧壁及每一该多条N型鳍的顶部及相对侧壁，且每一该多个第一非挥发性内存单元包括一氧化物层，位于该P型硅基板的上方、该连接线路与该P型鳍之间及该连接线路与每一该多条N型鳍之间。