[发明专利]一种用于3D深度获取设备的VCSEL阵列及该3D深度获取设备

权利要求书

1.一种用于3D深度获取设备的VCSEL阵列，其特征在于，包括发光组件和半导体基底，所述发光组件分布在所述半导体基底的表面；其中：

所述发光组件包括至少两组发光单元组，其中每组所述发光单元组包括多个相互导通的发光单元，各组所述发光单元组按照各自相对应的图案相互交错地分布在所述半导体基底上，且由各组所述发光单元组对应的图案组成的所述发光组件对应的图案是不规则图案；所述3D深度获取设备上设有至少两组导线，各组所述导线分别连接并用于驱动各组所述发光单元组。

2.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，其特征在于，各组所述发光单元组的相对应的图案是规则图案或不规则图案，且其中至少一组所述发光单元组相对应的图案是不规则图案。

3.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，其特征在于，各组所述发光单元组的各个所述发光单元之间依次通过镀上连接金属连接起来，且每组所述发光单元组相对应的连接金属上分别镀有绝缘层。

4.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，其特征在于，所述半导体基底的表面划分为至少一个区域，在每个所述区域内分别分布至少两组所述发光单元组，各组所述发光单元组的各个所述发光单元之间依次通过连接金属连接起来，且在每个所述区域内的各组所述发光单元组的连接金属相互之间无交错。

5.根据权利要求4所述的VCSEL阵列，其特征在于，所述半导体基底的表面划分为多个所述区域，其中多个所述区域为规则形状或者不规则形状。

6.一种如权利要求1至3任一项所述的用于3D深度获取设备的VCSEL阵列的加工方法，其特征在于，包括：

S1：将各组所述发光单元组中的多个所述发光单元分别分布在所述半导体基底上；

S2：在任意一组所述发光单元组中的各个所述发光单元之间依次镀上连接金属以将该组所述发光单元组中的各个所述发光单元相互导通；

S3：在步骤S2中镀上的所述连接金属上镀上绝缘层以将所述连接金属进行电隔离；

S4：依次对每一组所述发光单元组重复步骤S2和S3，直至将所有组所述发光单元组中各自的各个所述发光单元相互导通；

S5：将各组所述发光单元组分别连接各组所述导线。

7.一种如权利要求1至3任一项所述的用于3D深度获取设备的VCSEL阵列的加工方法，其特征在于，包括：

S1：将各组所述发光单元组中的多个所述发光单元分别分布在所述半导体基底上；

S2：在任意一组所述发光单元组中的各个所述发光单元之间依次镀上连接金属以将该组所述发光单元组中的各个所述发光单元相互导通；

S3：在步骤S2中镀上的所述连接金属上镀上绝缘层以将所述连接金属进行电隔离；

S4：依次对每一组所述发光单元组重复步骤S2和S3，直至将除其中任意一组以外的所有组所述发光单元组中各自的各个所述发光单元相互导通；

S5：对未相互导通的该组所述发光单元组重复步骤S2；

S6：将各组所述发光单元组分别连接各组所述导线。

8.一种3D深度获取设备，其特征在于，包括激光投射模块、成像光学模块和处理器，其中所述激光投射模块包括DOE、准直透镜以及权利要求1至5任一项所述的VCSEL阵列，其中所述VCSEL阵列上发射的光束依次透过所述准直透镜和所述DOE投射到物体上形成预设图案，所述成像光学模块用于捕捉所述物体上的预设图像，所述处理器连接所述成像光学模块以对所述预设图像进行处理形成所述物体的3D深度信息。

9.根据权利要求8所述的3D深度获取设备，其特征在于，所述处理器还连接所述激光投射模块，以用于分别控制各组所述发光单元组。