[发明专利]一种硅基太阳能电池

权利要求书

1.一种硅基太阳能电池，其特征在于，具有两层结构，其中一层为硅层，另一层为石墨烯层，石墨烯层与硅层贴合；石墨烯层表面具有大量褶皱，厚度不大于20nm，通过以下方法制备得到：

(1)在AAO基底膜上抽滤得到氧化石墨烯膜；

(2)将表面贴合有氧化石墨烯膜的AAO基底膜以氧化石墨烯膜所在的面朝上，置于水面上；按压AAO基底膜，使得AAO基底膜下沉，氧化石墨烯膜漂浮于水面；

(3)用硅片将漂浮于水面的氧化石墨烯膜从下往上捞起，使得氧化石墨烯膜平铺于基底表面；

(4)室温下蒸发氧化石墨烯膜中的水分，使得氧化石墨烯膜水含量大于50wt％；将蒸发处理后的氧化石墨烯膜进行冷冻干燥，氧化石墨烯膜从硅片表面脱离；

(5)对氧化石墨烯膜在2000～3000℃进行还原，使得其电导率大于0.5MS/m。

2.根据权利要求1所述的硅基太阳能电池，其特征在于，所述步骤(2)中，按压位置为AAO基底膜的边缘。

3.根据权利要求1所述的硅基太阳能电池，其特征在于，所述步骤(1)中氧化石墨烯的厚度为4nm。

4.根据权利要求1所述的硅基太阳能电池，其特征在于，所述AAO基底膜的表面的孔隙率不小于40％。