[发明专利]一种基于共混发光层的OLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于空穴传输小分子与含三苯胺乙烯单元发光聚合物的共混发光层的OLED器件，其特征在于其结构包括阳极、阴极和置于两电极之间的至少一层有机化合物层；所述的有机化合物层包括至少一层的共混发光层；所述的共混发光层的组分包括空穴传输小分子和含三苯胺乙烯单元的发光聚合物；

所述含三苯胺乙烯单元的发光聚合物的化学结构式满足以下通式之一：

式中：x、y为各单元组分的摩尔分数，满足：0x1，0y1，x+y＝1；n为重复单元数，n＝5～5000范围内的整数；

Ar₁为C6～60的芳香族烃基或C3～60的芳香族杂环基；

Ar₂为乙烯基三芳胺单元，具有如下通式结构：

Ar₃、Ar₄、Ar₅、Ar₆相同或不同的分别为C6～60的芳香族烃基或C3～60的芳香族杂环基；

所述的空穴传输小分子包括咔唑类、三芳胺类衍生物中的至少一种；

其中，Ar₁为如下化学结构或如下结构衍生物的至少一种：

其中，R₁为C1～30的烷基、C3～30的环烷基、C6～60芳香族烃基或C3～60的芳香族杂环基；R₂、R₃、R₄相同或不同的分别为H、D、F、CN、烯基、炔基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、C1～30的烷基、C1～30的烷氧基、C3～30的环烷基、C6～60芳香族烃基或C3～60的芳香族杂环基；

其中，所述的Ar₃、Ar₄、Ar₅、Ar₆相同或不同的分别为如下结构或如下结构衍生物的一种：

其中，R₅为C1～30的烷基、C3～30的环烷基、C6～60芳香族烃基或C3～60的芳香族杂环基；

其中，所述的Ar₂为如下化学结构或如下结构衍生物的至少一种：

其中，R₆为H、D、F、CN、烯基、炔基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、C1～30的烷基、C1～30的烷氧基、C3～30的环烷基、C6～60芳香族烃基或C3～60的芳香族杂环基。

2.根据权利要求1所述的基于空穴传输小分子与含三苯胺乙烯单元发光聚合物的共混发光层的OLED器件，其特征在于：所述的空穴传输小分子为如下所示结构中的至少一种：

3.根据权利要求1所述的基于空穴传输小分子与含三苯胺乙烯单元发光聚合物的共混发光层的OLED器件，其特征在于：所述的共混发光层中，空穴传输小分子的含量为质量分数大于0，小于等于50％；所述含三苯胺乙烯单元的发光聚合物的含量为质量分数大于等于50％，小于100％；所述的共混发光层的厚度为50～1000nm。

4.根据权利要求1所述的基于空穴传输小分子与含三苯胺乙烯单元发光聚合物的共混发光层的OLED器件，其特征在于：结构中还包括透明基板层、ITO阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极反射电极层；所述透明基板层、ITO阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极反射电极层依次层叠排布。

5.一种权利要求1～4任一项所述的基于空穴传输小分子与含三苯胺乙烯单元发光聚合物的共混发光层的OLED器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)在ITO玻璃基板上通过旋涂方法附着一层空穴注入层；

(2)通过旋涂的方式制备至少一层的空穴传输小分子与含三苯胺乙烯单元发光聚合物共混的发光层，旋涂前将空穴传输小分子与含三苯胺乙烯单元发光聚合物溶解在有机溶剂中；

(3)最后，蒸镀一层阴极电极。