[发明专利]AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法

权利要求书

1.一种AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法，其特征在于，

外延层自下而上包括牺牲层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层、钝化层和保护层，所述牺牲层制备在衬底层上方；

所述外延层转移方法包括：

在所述衬底层上方依次制备所述牺牲层、所述成核层、所述缓冲层、所述插入层、所述势垒层和所述帽层；

在所述帽层上方制备源电极和漏电极；

在所述源电极、所述漏电极和所述帽层上方制备所述钝化层；

在所述钝化层上方光刻栅槽图形，并移除所述栅槽图形下方的钝化层，以形成栅槽区域；

在所述栅槽区域制作栅电极；

在所述钝化层和栅电极上方制备保护层；以及

在所述保护层和所述钝化层中刻蚀多个金属互联开孔区，并对所述多个金属互联开孔区进行金属互联；

根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行曝光显影；

在氟基刻蚀条件下刻蚀已曝光显影的无源区域下方的保护层和钝化层；

在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已曝光显影的无源区域下方的帽层、势垒层、插入层、缓冲层和成核层；以及

采用化学腐蚀液刻蚀所述衬底层上方的牺牲层。

2.根据权利要求1所述的AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法，其特征在于，所述衬底层为蓝宝石，所述牺牲层为SiO₂，所述成核层为AlN，所述缓冲层为GaN，所述插入层为AlN，所述势垒层为AlGaN，所述帽层为GaN，所述钝化层和所述保护层为SiN。

3.根据权利要求1所述的AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法，其特征在于，根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行曝光显影的图形为矩形。

4.根据权利要求1所述的AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法，其特征在于，所述在所述帽层上方制备源电极和漏电极，包括：

对所述势垒层中的源电极欧姆接触区和漏电极欧姆接触区进行施主元素注入掺杂；

在N₂氛围中对掺杂的势垒层进行热退火；

刻蚀所述掺杂的势垒层表层和帽层总厚度为6～11nm的区域；

通过金属淀积制备所述源电极和所述漏电极。

5.根据权利要求1所述的AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法，其特征在于，在所述源电极、所述漏电极和所述帽层上方制备所述钝化层之前，还包括：对所述帽层、势垒层、插入层和部分沟道层进行刻蚀以形成电隔离区域。