[发明专利]一种钼酸铝基微波介质复合陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 201810756601.3 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN108727023A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 符秀丽;任俊卿;彭志坚 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64 |
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地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合陶瓷 微波介质 钼酸铝 制备 高温烧结 前驱体 基质 添加剂 频率温度系数 低损耗材料 两步热处理 低温共烧 二氧化钛 高温合成 功能陶瓷 介电常数 品质因数 钛酸锶钙 晶粒 烧结 钛酸钙 钛酸钐 钛酸锶 粉体 可控 合成 复合 | ||
1.一种钼酸铝基微波介质复合陶瓷,其特征在于,所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷是以Al2Mo3O12为基质,以二氧化钛、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钐钠、钛酸锶钙中的一种或多种为添加剂,经高温烧结复合而成。
2.按照权利要求1所述的钼酸铝基微波介质复合陶瓷的制备方法,其特征在于,通过两步热处理方法获得所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷:首先,以Al2O3、MoO3粉体为原材料,经球磨混料后,高温煅烧获得Al2Mo3O12前驱体;然后,以所合成的Al2Mo3O12前驱体为基质,加入二氧化钛、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钐钠、钛酸锶钙粉体中的一种或多种作为添加剂,经二次球磨混料后,进行高温烧结,最终获得了所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷。
3.按照权利要求2所述的制备方法,其特征在于,制备所述Al2Mo3O12前驱体时,按照Al2Mo3O12的化学计量比称取分析纯的Al2O3和MoO3粉体;制备所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷时,以所合成的Al2Mo3O12前驱体为基质,以分析纯的二氧化钛、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钐钠、钛酸锶钙粉体中的一种或多种作为添加剂,按前驱体粉末与添加剂粉末摩尔比(0.5~1):(0.1~0.6)的比例称取各原料。
4.按照权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述球磨混料均为湿法球磨,溶剂为去离子水,磨球为高耐磨ZrO2球;采用水平旋转球磨、高能搅拌球磨或行星球磨之一种;其中,在进行Al2O3和MoO3粉体球磨混料时,混合粉末、磨球、溶剂的质量比为(1~2):(8~10):(4~6),水平旋转球磨24~48h,行星式球磨6~12h,或高能搅拌球磨12~18h;在进行Al2Mo3O12前驱体和二氧化钛、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钐钠、钛酸锶钙粉体球磨混料时,混合粉料、磨球、溶剂的质量比为(1~2):(8~12):(8~12),水平旋转球磨18~36h,行星式球磨4~6h,或高能搅拌球磨8~12h。
5.按照权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述烘干均在烘箱中进行,其中Al2O3和MoO3粉体的混合浆料的烘干温度为105~120℃,时间为4~6h;Al2Mo3O12前驱体和添加剂二氧化钛、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钐钠、钛酸锶钙粉体的混合浆料的烘干温度为105~120℃,时间为12~24h。
6.按照权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述热处理均在马弗炉中进行,其中煅烧合成Al2Mo3O12前驱体的热处理工艺为:将烘干得到的粉饼在马弗炉中进行煅烧,升温速率5~35℃/min,煅烧温度710~760℃,保温4~6h,然后随炉冷却;钼酸铝基微波介质复合陶瓷的烧结工艺为:将样品以5~10℃/min的升温速率加热至500~600℃并保温1~2h,然后以2~6℃/min的升温速度加热至750~800℃并保温8~16h,保温结束后随炉冷却。
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