[发明专利]改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法

权利要求书

1.一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、形成多晶硅层，采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出多晶硅结构的形成区域；

步骤二、以所述光刻胶图形为掩膜，采用各向异性刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀形成所述多晶硅结构，所述多晶硅结构的侧面台阶呈垂直结构；

步骤三、沉积第一氧化层，所述第一氧化层厚度大于等于所述多晶硅结构的侧面台阶的高度；所述第一氧化层在所述多晶硅结构的侧面台阶顶部形成第一倾斜结构；

步骤四、对所述第一氧化层进行全面刻蚀并在所述多晶硅结构的侧面处形成一个由剩余的所述第一氧化层形成的侧墙，由所述侧墙的侧面形成第二倾斜结构，所述第二倾斜结构的倾斜角在所述第一倾斜结构的倾斜角的基础上保持或增加；

步骤五、沉积层间膜；所述层间膜为常压氧化硅和硼磷硅玻璃的叠加层，所述层间膜的厚度小于所述多晶硅层的厚度；

步骤六、对所述硼磷硅玻璃进行退火回流，回流后的所述硼磷硅玻璃在所述第二倾斜结构顶部形成一个第三倾斜结构，所述第三倾斜结构的倾斜角在所述第二倾斜结构的倾斜角的基础上增加；

步骤七、采用光刻工艺定义出接触孔的形成区域，对所述接触孔的形成区域的所述层间膜进行刻蚀形成所述接触孔的开口；

步骤八、形成金属层，所述金属层将所述接触孔完全填充；进行金属层的刻蚀将所述接触孔区域外的所述金属层全部去除，利用所述第三倾斜结构的侧面倾斜的特征消除在所述多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。

2.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述多晶硅结构为多晶硅栅。

3.如权利要求2所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述多晶硅栅为ESD产品的多晶硅栅。

4.如权利要求3所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述ESD产品为LDMOS器件。

5.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤一中所述多晶硅层的厚度为

6.如权利要求5所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤五中所述常压氧化硅的厚度为所述硼磷硅玻璃的厚度为

7.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤八中所述金属层的材料为钨。

8.如权利要求7所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述金属层的刻蚀采用干法刻蚀。

9.如权利要求2所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤一中所述多晶硅层形成于半导体衬底表面。

10.如权利要求9所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：在所述半导体衬底表面形成有栅氧化层，所述多晶硅层叠加在所述栅氧化层表面。

11.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述常压氧化硅采用APCVD工艺形成。

12.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述硼磷硅玻璃采用SACVD工艺形成。

13.如权利要求5所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述第一氧化层的厚度为

14.如权利要求1或13所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述第一氧化层的采用SACVD工艺形成。

15.如权利要求7所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤八中所述金属层还包括钛和氮化钛的叠加层，所述金属层的钨形成在所述钛和氮化钛的叠加层上。