[发明专利]一种ESD保护电路及电子装置

权利要求书

1.一种ESD保护电路，连接于供电电源与被保护电路之间，其特征在于，所述ESD保护电路包括：

高压二极管和双向导通模块，所述双向导通模块包括第一正向低压二极管和第一反向低压二极管；

所述第一正向低压二极管的阳极与所述第一反向低压二极管的阴极均连接至所述供电电源的供电端，所述第一正向低压二极管的阴极与所述第一反向低压二极管的阳极均连接至所述高压二极管的阴极，所述高压二极管的阳极连接至所述供电电源的接地端；

其中，所述第一正向低压二极管和所述第一反向低压二极管的反向击穿电压均小于所述高压二极管的反向击穿电压，且所述双向导通模块的寄生电容小于所述高压二极管形成的寄生电容。

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一正向低压二极管和所述第一反向低压二极管的相连结构包括：

衬底；

位于所述衬底上的N型埋层；

位于所述N型埋层上的第一P型注入层和第二P型注入层；

位于所述第一P型注入层上的第一N阱和位于所述第二P型注入层上的第二N阱；

以及，位于所述第一N阱上的第一P+注入层和位于所述第二N阱上的第二P+注入层；

其中，所述第一P+注入层与所述第二N阱相连且连接至所述供电端，所述第一N阱、所述第一P型注入层、所述第二P+注入层、所述第二P型注入层与所述N型埋层相连且连接至所述高压二极管的阴极。

3.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一正向低压二极管和所述第一反向低压二极管相同。

4.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述双向导通模块还包括：

第二正向低压二极管至第N正向低压二极管，N为不小于2的整数，所述第二正向低压二极管至所述第N正向低压二极管的反向击穿电压均小于所述高压二极管的反向击穿电压；

所述第二正向低压二极管至所述第N正向低压二极管中每一正向低压二极管，均与所述第一正向低压二极管同向串联于所述供电端和所述高压二极管的阴极之间。

5.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述双向导通模块还包括：

第二正向低压二极管至第N正向低压二极管，N为不小于2的整数，所述第二正向低压二极管至所述第N正向低压二极管的反向击穿电压均小于所述高压二极管的反向击穿电压；

所述第二正向低压二极管至所述第N正向低压二极管中每一正向低压二极管，均与所述第一正向低压二极管同向并联于所述供电端和所述高压二极管的阴极之间。

6.根据权利要求4或5所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第二正向低压二极管至所述第N正向低压二极管中每一正向低压二极管，均与所述第一正向低压二极管相同。

7.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述双向导通模块还包括：

第二反向低压二极管至第M反向低压二极管，M为不小于2的整数，所述第二反向低压二极管至所述第M反向低压二极管的反向击穿电压均小于所述高压二极管的反向击穿电压；

所述第二反向低压二极管至所述第M反向低压二极管中每一反向低压二极管，均所述第一反向低压二极管同向串联于所述供电端和所述高压二极管的阴极之间。

8.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述双向导通模块还包括：

第二反向低压二极管至第M反向低压二极管，M为不小于2的整数，所述第二反向低压二极管至所述第M反向低压二极管的反向击穿电压均小于所述高压二极管的反向击穿电压；

所述第二反向低压二极管至所述第N反向低压二极管中每一反向低压二极管，均与所述第一反向低压二极管同向并联于所述供电端和所述高压二极管的阴极之间。

9.根据权利要求7或8所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第二反向低压二极管至所述第M反向低压二极管中每一反向低压二极管，均与所述第一反向低压二极管相同。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1～9任意一项所述的ESD保护电路。