[发明专利]一种偏振非依赖硅基液晶器件有效
申请号: | 201810756761.8 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN108681129B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 孙长俐;陆建钢 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/137;G02F1/1343;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人: | 张铁兰 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏振 依赖 液晶 器件 | ||
1.一种偏振非依赖硅基液晶器件,其特征在于,包括上基板、公共电极层、绝缘层、反射金属层、蓝相液晶层、像素电极层和下基板,所述绝缘层在所述公共电极层与所述反射金属层之间,所述蓝相液晶层在所述反射金属层与所述像素电极层之间;反射金属层宽度范围为9.84um至11.5um;反射金属层间隙的范围为0.55um至4.1um;所述像素电极层的宽度为6um,像素电极层间隙为2um;所述蓝相液晶层的厚度为6um。
2.如权利要求1所述的偏振非依赖硅基液晶器件,特征在于,所述上基板为玻璃或塑料;所述下基板为硅基板。
3.如权利要求1所述的偏振非依赖硅基液晶器件,特征在于,所述公共电极层是透明导电金属氧化物或透明导电有机高分子材料形成的片状电极。
4.如权利要求1所述的偏振非依赖硅基液晶器件,特征在于,所述绝缘层为SiO2或Si3N4。
5.如权利要求1所述的偏振非依赖硅基液晶器件,特征在于,所述反射金属层为高反射率条状铝层。
6.如权利要求1所述的偏振非依赖硅基液晶器件,特征在于,所述像素电极层是高反射率不透明导电金属形成的一组互相平行的条状电极或块状电极。
7.如权利要求3所述的偏振非依赖硅基液晶器件,特征在于,所述透明导电金属氧化物为ITO。
8.如权利要求3所述的偏振非依赖硅基液晶器件,特征在于,所述透明导电有机高分子材料为PEDOT。
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