[发明专利]一种电压偏置电路及方法

说明书

本发明提供了一种电压偏置电路和方法。所述电压偏置电路连接存储器的位线，所述位线上连接多个存储单元；所述电压偏置电路，用于根据所述存储单元和所述电压偏置电路在所述位线上的位置关系输出相应的偏置电压，以使补偿位线电阻的消耗电压。由于补偿了位线电阻的消耗电压，因此流经各存储单元中存储串上的电流相近。在编程检验时，由于各存储串上的电流相近，因此各存储串的编程次数相近，使得部分Block的编程次数降低，提高了存储器的编程性能。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种电压偏置电路及方法。

背景技术

Nand flash是一种非易失存储器，它通过对存储单元进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中，随着Nand flash的大量使用，对其性能的要求也在不断提高。存储器的位线(Bit Line，BL)会连接多个存储单元(Block)，存储单元中包含存储串(String)，位线的一端会连接一个SA(Sensitiveamplifier，灵敏放大器相连)为各个Block提供偏置电压。由于存在位线电阻，加载在各个Block上的偏置电压会存在差异，导致在String相同的情况下流经各个Block的电流存在差异。在编程检验(program verify)时，根据String电流判断pass或fail，由于各个Block的电流存在差异，为将各个Block的电流调整至阈值电流的修正次数不同，一些Block需要较多的修正次数即编程次数(program loop)，而编程次数较多则耗时较长，影响存储器的性能。

发明内容

本发明实施例提供一种电压偏置电路及方法，以解决现有技术中由于位线电阻的存在，导致各个Block的编程次数不同，一些Block的编程次数较多、耗时较长，影响存储器性能的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种电压偏置电路，所述电压偏置电路连接存储器的位线，所述位线上连接多个存储单元；

所述电压偏置电路，用于根据所述存储单元和所述电压偏置电路在所述位线上的位置关系输出相应的偏置电压，以补偿位线电阻的消耗电压。

可选地，所述电压偏置电路包括依次连接的偏置子电路和灵敏放大器；所述灵敏放大器连接所述位线；

所述偏置子电路，用于根据所述位置关系输出控制所述灵敏放大器的控制电压；

所述灵敏放大器，用于根据所述控制电压调整输出的所述偏置电压。

可选地，所述偏置子电路包括运算放大器、第一电阻和第二电阻；

所述运算放大器的正相输入端连接第一电源端，所述运算放大器的反相输入端连接一节点，所述运算放大器的输出端连接所述灵敏放大器；

所述第一电阻的两端分别连接所述节点和接地端；

所述第二电阻的两端分别连接所述节点和所述运算放大器的输出端；所述第二电阻，用于根据所述位置关系调节阻值大小，以调节所述运算放大器的输出电压，控制所述灵敏放大器调整所述偏置电压。

可选地，所述灵敏放大器包括晶体管；

所述晶体管的控制极连接所述运算放大器的输出端，所述晶体管的第一极连接第二电源端，所述晶体管的第二极连接所述位线。

可选地，所述存储单元包括存储串；所述存储串的电流根据所述偏置电压和所述存储串的电阻确定。

本发明实施例还提供一种电压偏置方法，应用于如上述电压偏置电路；所述电压偏置电路连接存储器的位线的一端，所述位线上连接多个存储单元；

所述方法包括：

根据所述存储单元和所述电压偏置电路在所述位线上的位置关系输出相应的偏置电压，以补偿位线电阻的消耗电压。