[发明专利]显示装置及具有该显示装置的电子设备

说明书

本公开涉及显示装置及具有该显示装置的电子设备。显示装置包括设置有位于像素区域的外侧并与所述像素区域相邻并包括将信号供应给在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、夹在第一衬底与第二衬底之间的液晶层、在第一晶体管及第二晶体管上的包含无机绝缘材料的第一层间绝缘膜、第一层间绝缘膜上的包含有机绝缘材料的第二层间绝缘膜、以及第二层间绝缘膜上的包含无机绝缘材料的第三层间绝缘膜。第三层间绝缘膜被设置在所述像素区域的上部区域的一部分中，并具有驱动电路区域内侧上的边缘部分。

本申请是于2013年7月10日提交的、于2015年1月20日进入中国国家阶段的、PCT申请号为PCT/JP2013/069456、中国国家申请号为201380038678.2、发明名称为“显示装置及具有该显示装置的电子设备”的申请之分案申请。

技术领域

本发明涉及使用液晶面板的显示装置或使用有机EL面板的显示装置。本发明还涉及具有上述显示装置的电子设备。

背景技术

近年来，对使用液晶面板的显示装置或使用有机EL面板的显示装置的研究开发日益火热。这种显示装置被粗分为其中只有像素控制用晶体管(像素晶体管)形成在衬底上而扫描电路(驱动电路)包含在外围IC中的显示装置、以及扫描电路形成在与像素晶体管相同的衬底上的显示装置。

其中驱动电路与像素晶体管整合的显示装置有效地减小显示装置的边框宽或外围IC的成本。但是，用于驱动电路的晶体管需要具有比像素晶体管高的电特性(例如，场效应迁移率(μFE)或阈值)。

作为可以应用于晶体管的半导体薄膜的材料，硅类半导体材料是众做周知的。作为其他材料，氧化物半导体材料受到关注。例如，已公开了使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的非晶氧化物形成半导体薄膜且该半导体薄膜具有低于10¹⁸/cm³的电子载流子浓度的晶体管(例如，参照专利文献1)。

使用氧化物半导体作为半导体层的晶体管具有比使用作为硅类半导体材料的非晶硅作为半导体层的晶体管高的场效应迁移率。因此，使用氧化物半导体的晶体管能够进行高速工作，且适合用于驱动电路与像素晶体管整合的显示装置。此外，使用氧化物半导体的晶体管的制造工序比使用多晶硅作为半导体层的晶体管的制造工序更容易。

但是，使用氧化物半导体作为半导体层的晶体管的一个问题在于，如氢或水分等杂质侵入氧化物半导体而生成载流子，导致该晶体管的电特性的变动。

为了解决上述问题，已公开了通过使用作晶体管的沟道形成区的氧化物半导体膜中的氢原子的浓度低于1×10¹⁶cm^-3来提高可靠性的晶体管(例如，专利文献2)。

[参考文献]

专利文献1：日本专利申请公开2006-165528号公报

专利文献2：日本专利申请公开2011-139047号公报。

发明内容

如专利文献2所述，为了充分保持使用氧化物半导体膜作为半导体层的晶体管的电特性，从该氧化物半导体膜尽量排除氢、水分等是重要的。

此外，当晶体管被用于显示装置的像素区域和驱动电路区域的双方时，用于驱动电路区域的晶体管的电负荷大于用于像素区域的晶体管的电负荷，虽然这根据驱动方法而不同。因此，用于驱动电路区域的晶体管的电特性是重要的。

尤其是，其中使用氧化物半导体膜作为半导体层的晶体管被用于像素区域及驱动电路区域的显示装置有如下问题，在高温高湿环境下的可靠性试验中，用于驱动电路区域的晶体管退化。该晶体管的退化的原因是由于水分等从形成在晶体管上的有机绝缘膜侵入氧化物半导体膜而导致的用于半导体层的该氧化物半导体膜的载流子密度的增高。