[发明专利]芴和含有所述芴的电子器件

说明书

本发明涉及一种芴和含有所述芴的电子器件。具体地，本发明涉及特殊的芴，所述化合物在电子器件中的用途，以及包含这些化合物中的至少一种的电子器件。本发明还涉及用于制备所述化合物的方法和涉及包含所述化合物中的一种或多种的制剂和组合物。

本申请是申请日为2013年6月27日、申请号为201380039289.1、发 明名称为“芴和含有所述芴的电子器件”的中国发明专利申请的分案 申请。

技术领域

本发明涉及一种芴和含有所述芴的电子器件。具体地，本发明涉 及新型有机化合物，涉及所述化合物在电子器件中的用途，以及涉及 包含所述化合物中的至少一种的电子器件。本发明还涉及用于制备所 述化合物的方法和涉及包含所述化合物中的至少一种的组合物和制 剂。

背景技术

开发用于电子器件中的功能化合物，是当前大力研究的主题。在 此处的目的特别是开发如下的化合物，使用所述化合物可以在一个或 多个相关点实现电致发光器件性能的改进，所述性能例如是发出的光 的功率效率、寿命或颜色坐标。

根据本发明，术语电子器件被认为尤其是指有机集成电路(OIC)、 有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管 (OLET)、有机太阳能电池(OSC)、有机光学检测器、有机光感受器、有 机场猝熄器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC)、有机激光二极管 (O-laser)和有机电致发光器件(OLED)。

特别受关注的是提供用于最近提及的被称为OLED的电子器件中 的化合物。OLED的一般结构和功能原理是本领域普通技术人员所公知 的，并且特别描述于US 4539507、US5151629、EP 0676461和WO 1998/27136中。

特别是考虑到广泛的商业用途，例如在显示器件中或作为光源， 在OLED的性能数据方面仍需要进一步改进。在这点上，特别重要的 是OLED的寿命、效率和工作电压以及达到的色值。此外，对于用作 电子器件中的功能材料，希望化合物具有高的热稳定性和高的玻璃化 转变温度，并且可在未分解的情况下升华。

关于这一点，特别是需要可选的空穴传输材料。在根据现有技术 的空穴传输材料中，电压通常随空穴传输层的层厚度增加而升高。在 实际中，通常需要空穴传输层具有较大的层厚度，但是这通常导致较 高的工作电压和较差的性能数据。关于这一点，需要具有高载荷子迁 移率的新型空穴传输材料，从而能够得到较厚的空穴传输层且同时工 作电压仅略微升高。

现有技术描述了多种芴作为电子和电致发光器件中的电荷传输材 料的用途。

WO 2011/055493公开了在3位被芴多取代的仲胺。

JP 2008-34701和WO 2007/072952公开了在4位被胺基团取代的 芴，其中所述胺基团本身又含有多个芴。

WO 2010/110553公开了在2、3或4位被胺基团取代的芴，其中 所述胺基团含有咔唑基团。

JP 05303221公开了可在2或4位被胺基团取代的芴。在芴的4位 含有胺基团的化合物含有苯基基团。所述化合物被用作光感受器。

尽管所述化合物是已知的，但仍需要用于OLED中的新型空穴传 输和空穴注入材料。特别是，需要如下的材料，使用所述材料可以实 现OLED的性能数据和性质的上述的非常希望的改进。

同样需要用于OLED和其它电子器件中的新型基质材料。特别地， 需要用于磷光掺杂剂的基质材料和用于混合基质体系的基质材料，其 优选导致电子器件的良好效率、长寿命和低工作电压。

发明内容

本发明因此是基于提供电致发光器件和化合物的目的，所述化合 物适用于电致发光器件、例如荧光或磷光OLED中，并且其特别是可 用作空穴传输或激子阻挡层中的空穴注入材料和/或空穴传输材料，或 用作发光层中的基质材料。