[发明专利]高耐磨坩埚陶瓷材料的制备方法

权利要求书

1.高耐磨坩埚陶瓷材料的制备方法，其特征在于，方法包括：

将碳化硅、碳化硼、氧化钇、氧化锆、硅化镍、三氧化二铝以及二氧化硅分别放入至球磨机中，球料比20:1-30:1，球磨时间为150-250min，进行粉碎；

将粉碎后的碳化硅、碳化硼、氧化钇、氧化锆、硅化镍、三氧化二铝、二氧化硅以及分散剂置于干燥箱中进行干燥，干燥温度110-140℃，干燥时间为20-30min；

将干燥后的碳化硅、碳化硼、氧化钇、氧化锆、硅化镍、三氧化二铝、二氧化硅以及分散剂加入至高混机中，高混机转速为500-600r/min，混合5-9min，得到混料a；

将混料a加入至成型机中，同时加入粘结剂，进行压制成型，得到型坯；

将成型后的型坯进行预烧结，在600-1000℃温度下，保温3-7h，得到预烧结坯料；

将预烧结坯料再进行1650-1850℃温度下，烧结3-5h，得到坩埚用陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，方法包括：

将碳化硅、碳化硼、氧化钇、氧化锆、硅化镍、三氧化二铝以及二氧化硅分别放入至球磨机中，球料比24:1-28:1，球磨时间为170-230min，进行粉碎；

将粉碎后的碳化硅、碳化硼、氧化钇、氧化锆、硅化镍、三氧化二铝、二氧化硅以及分散剂置于干燥箱中进行干燥，干燥温度115-135℃，干燥时间为23-28min；

将干燥后的碳化硅、碳化硼、氧化钇、氧化锆、硅化镍、三氧化二铝、二氧化硅以及分散剂加入至高混机中，高混机转速为530-570r/min，混合6-8min，得到混料a；

将混料a加入至成型机中，同时加入粘结剂，进行压制成型，得到型坯；

将成型后的型坯进行预烧结，在700-900℃温度下，保温4-6h，得到预烧结坯料；

将预烧结坯料再进行1680-1820℃温度下，烧结4-5h，得到坩埚用陶瓷材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，方法包括：

将碳化硅、碳化硼、氧化钇、氧化锆、硅化镍、三氧化二铝以及二氧化硅分别放入至球磨机中，球料比25:1，球磨时间为190min，进行粉碎；

将粉碎后的碳化硅、碳化硼、氧化钇、氧化锆、硅化镍、三氧化二铝、二氧化硅以及分散剂置于干燥箱中进行干燥，干燥温度124℃，干燥时间为26min；

将干燥后的碳化硅、碳化硼、氧化钇、氧化锆、硅化镍、三氧化二铝、二氧化硅以及分散剂加入至高混机中，高混机转速为560r/min，混合7min，得到混料a；

将混料a加入至成型机中，同时加入粘结剂，进行压制成型，得到型坯；

将成型后的坩埚坯进行预烧结，在820℃温度下，保温5h，得到预烧结坯料；

将预烧结坯料再进行1740℃温度下，烧结4h，得到坩埚用陶瓷材料。

4.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于：所述方法还包括对坩埚用陶瓷材料进行自然冷却，冷却至室温，进行打磨。

5.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于：所述分散剂为脂肪族酰胺类或者酯类分散剂。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述脂肪族酰胺类分散剂为乙撑基双硬脂酰胺。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述酯类分散剂为硬脂酸单甘油酯或者三硬脂酸甘油酯。

8.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于：所述二氧化硅为气相二氧化硅。