[发明专利]一种金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法

权利要求书

1.一种金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，包括步骤：

(1)提供硼硅玻璃，在所述硼硅玻璃上表面溅射Ni/Au或Cr/Au薄膜作为硼硅玻璃刻蚀的掩膜，在金属掩膜表面通过光刻工艺制作光刻胶掩膜后利用剥离工艺或金属湿法腐蚀的方法在硼硅玻璃表面形成金属掩膜图形；然后进行硼硅玻璃的湿法刻蚀，形成腐蚀坑；

(2)提供硅片，在硅片上依次溅射钛薄膜、铂薄膜和金薄膜；

(3)将步骤(1)制备的硼硅玻璃上表面和步骤(2)硅片上溅射钛薄膜、铂薄膜和金薄膜的面贴合，利用热压键合技术进行键合；

(4)将步骤(3)键合后的样品硅片的一面进行机械研磨减薄，使硅片形成为硅薄膜。

2.如权利要求1所述的金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，其特征在于，步骤(1)所述硼硅玻璃的厚度为260-360微米。

3.如权利要求1所述的金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，其特征在于，步骤(1)所述Ni/Au薄膜厚度为Ni膜50-100nm、Au膜350-500nm；所述Cr/Au薄膜厚度为Cr膜50-100nm、Au膜350-500nm。

4.如权利要求1所述的金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，其特征在于，所述在硼硅玻璃表面形成金属掩膜图形的工艺条件包括下列之一种或多种：

a.所述光刻工艺采用的光刻胶为光刻正胶；

b.所述湿法腐蚀所用的腐蚀液依次为Au腐蚀液和Ni腐蚀液；其中，所述Au腐蚀液为碘、碘化钾、水的混合液；所述Ni腐蚀液为盐酸；

c.所述湿法刻蚀所用的腐蚀液为质量分数10-15％的氢氟酸和质量分数5-15％的硝酸的混合液。

5.如权利要求1所述的金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，其特征在于，步骤(2)所述硅片的厚度为150-250微米。

6.如权利要求1所述的金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，其特征在于，步骤(2)所述钛薄膜、铂薄膜和金薄膜厚度分别为30-60nm、30-60nm、350-500nm。

7.如权利要求1所述的金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)中所述的溅射均是离子束溅射工艺。

8.如权利要求1所述的金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，其特征在于，步骤(3)所述热压键合的工艺条件是：真空环境，温度260-400℃，压力500-600公斤，键合时间5-10分钟。

9.如权利要求1所述的金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，其特征在于，步骤(4)所述的机械研磨的工艺条件是：研磨盘转速40-65rpm，研磨液流量45-600mL/h。

10.如权利要求1所述的金金热压键合制备高反射膜光学腔的方法，其特征在于，步骤(4)中，所述硅薄膜的厚度为15-20微米。