[发明专利]半导体元件的制作方法有效
| 申请号： | 201810763024.0 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110707036B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡亚萤;林耿任 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制作方法 | ||
1.一种半导体元件的制作方法，其特征在于，包含：
提供一基底，基底上形成有第一凹槽以及第二凹槽，其中该第一凹槽的宽度小于该第二凹槽的宽度；
形成一非晶硅层，位于该第一凹槽以及该第二凹槽内；
形成一第一旋涂式介电层(spin on dielectric，SOD)，填满该第一凹槽并且部分填入该第二凹槽中；
进行一第一处理步骤，以将该第一旋涂式介电层转换为第一氧化硅层，该非晶硅层位于该第一氧化硅层与该基底之间；
形成一氮化硅层于该第二凹槽内的该第一氧化硅层上；
形成一第二旋涂式介电层(spin on dielectric，SOD)于该第二凹槽中的该氮化硅层上；以及
进行一第二处理步骤，以将该第二旋涂式介电层转换为第二氧化硅层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一处理步骤与该第二处理步骤的温度介于150℃至700℃。
3.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一处理步骤与该第二处理步骤包含在一含氧环境中热处理或紫外光照射处理。
4.如权利要求3所述的制作方法，其中该含氧环境包含蒸气、氧气或臭氧。
5.如权利要求1所述的制作方法，其中还包含第三处理步骤，温度介于800℃至1100℃，以使该第一氧化硅层与该第二氧化硅层进一步致密化。
6.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一旋涂式介电层与该第二旋涂式介电层材质包含有全氢聚硅氮烷(perhydro polysilazane，PHPS)。
7.如权利要求1所述的制作方法，其中该非晶硅层的厚度介于20～100埃之间。
8.如权利要求1所述的制作方法，其中还包含有形成一第三氧化硅层于该第一凹槽内与该第二凹槽内，并且位于该非晶硅层与该基底之间。
9.如权利要求8所述的制作方法，其中还包含进行一临场蒸气产生(In Situ SteamGenerated，ISSG)步骤，并且该第三氧化硅层是由该临场蒸气产生步骤所产生。
10.如权利要求1所述的制作方法，还包含形成一第四氧化硅层于该第二凹槽内，且位于该氮化硅层与该第二氧化硅层之间。
11.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二凹槽内的该第一氧化硅层并未填满该第二凹槽，且该第一氧化硅层具有一凹陷顶面。
12.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一凹槽位于一动态机存取存储器元件中的一元件区，而该第二凹槽位于该动态机存取存储器元件中的一周边区。
13.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一凹槽的宽度介于15纳米至55纳米之间。
14.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二凹槽的宽度介于75纳米至500纳米之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
