[发明专利]一种五元杂环衍生物及其有机电致发光器件

说明书

本发明公开了一种有五元杂环衍生物及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明的优点是，本发明的结构式I的五元杂环衍生物具有良好的电子受体性质，将该五元杂环衍生物作为掺杂剂与具有电子供体性质的基质材料混合，在较低的掺杂浓度下具有较高的电导率，通过电子转移过程产生空穴，有效的提高了空穴迁移率，具有较高的空穴注入效率。本发明的有机电致发光器件包括阳极、阴极以及一个或多个有机物层，有机物层中的至少一层含有本发明的有五元杂环衍生物，本发明的有机电致发光器件具有较低的驱动电压，较高的发光效率，并且具有较长的使用寿命。

技术领域

本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种五元杂环衍生物及其有机电致发光器件。

背景技术

有机光电材料是具有光子和电子的产生、转换和传输特性的有机材料。目前，有机光电材料已经应用于有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。OLED是指有机光电材料在电流或电场的作用下发光的器件，它能够将电能直接转化为光能。近年来OLED作为新一代平板显示和固体照明技术正受到越来越多的关注。相比于液晶显示技术，OLED以其低功耗、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制、可制作柔性显示等特点，越来越多的应用于显示及照明领域。

通常OLED具有多层结构，包括氧化铟锡(ITO)阳极和金属阴极以及置于ITO阳极与金属阴极之间的若干有机物层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等。在一定电压驱动下，空穴与电子分别由阳极与阴极注入到空穴传输层和电子传输层，两者分别经过空穴传输层和电子传输层迁移到发光层，当两者在发光层中相遇结合时形成空穴-电子复合激子，激子通过发光弛豫的形式回到基态，从而达到发光的目的。

ITO由于具有较高的透明度和较低的电阻率，在OLED中普遍作为阳极使用，但由于ITO的功函数与HTL的最高占据分子轨道(HOMO)能级相差比较大，工作时会在ITO与HTL之间形成注入势垒，影响器件发光效率。为了提高OLED的性能，一般在ITO与HTL之间插入空穴注入层，来降低空穴的注入势垒。

目前，有机电致发光器件通常存在操作电压高、发光效率低、使用寿命短等问题。因而，探索新的用于有机电致发光器件的有机光电材料是本领域技术人员一直以来研究的重点方向。对于空穴注入层来说，传统上所用的材料，通常为非掺杂的空穴注入材料，空穴注入效率较低，无法提供令人满意的发光特性，因此，仍需要设计新的性能更好的空穴注入材料以提高有机电致发光器件的使用性能。

发明内容

发明目的：针对上述问题，本发明的目的是提供一种五元杂环衍生物及其有机电致发光器件，该五元杂环衍生物具有较高的空穴注入效率，通过将该五元杂环衍生物作为空穴注入材料应用在有机电致发光器件中，解决了有机电致发光器件的驱动电压高，发光效率低以及使用寿命短等的问题。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案实现的：一种五元杂环衍生物，该五元杂环衍生物具有如结构式I所示的结构通式：

其中，所述X选自O或者S；

所述R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈独立的选自氰基、卤素、三氟甲氧基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种。

优选的，所述R₁、R₂、R₃、R₄独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、三氯甲基、三氟甲氧基中的一种。