[发明专利]用于驱动晶体管的过电压保护电路有效
申请号: | 201810763090.8 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN108988301B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | R·马利克;L·阿巴特里;G·卡塔里萨诺;A·贾因 | 申请(专利权)人: | 意法半导体国际有限公司;意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;庞淑敏 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 驱动 晶体管 过电压 保护 电路 | ||
1.一种用于过电压保护的电路,包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管具有被配置成接收驱动信号的控制端子并具有第一导电端子和第二导电端子,其中所述第一导电端子被配置成用于连接到负载电路;
感测电路,所述感测电路被配置成感测跨过所述第一导电端子和所述第二导电端子的电压;
比较器电路,所述比较器电路具有分别用于接收电压阈值和感测的所述电压的反相输入端子和非反相输入端子,并且被配置成将感测的所述电压与接收的所述电压阈值相比较并生成指示过电压状况的信号;以及
驱动电路,所述驱动电路被配置成响应于脉宽调制PWM信号而生成所述驱动信号,所述驱动电路包括强制导通电路,所述强制导通电路响应于指示所述过电压状况的所述信号而被起动,以迫使所述驱动晶体管无论所述PWM信号如何都导通。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述驱动晶体管是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
3.根据权利要求1所述的电路,还包括所述负载电路。
4.根据权利要求3所述的电路,其中所述负载电路是谐振回路电路。
5.根据权利要求1所述的电路,其中所述驱动晶体管是低侧驱动晶体管。
6.根据权利要求1所述的电路,还包括被配置成生成所述PWM信号的PWM发生器电路。
7.根据权利要求6所述的电路,其中所述PWM发生器电路包括软启动电路,并且其中所述软启动电路响应于指示所述过电压状况的所述信号而被起动。
8.根据权利要求6所述的电路,其中所述PWM发生器电路包括过度过电压状况检测电路,所述过度过电压状况检测电路被配置成如果接收到指示所述过电压状况的信号的数目超过关断阈值,则禁用所述PWM信号的生成。
9.根据权利要求6所述的电路,其中所述PWM发生器电路包括过度过电压状况检测电路,所述过度过电压状况检测电路被配置成如果接收到指示所述过电压状况的信号的数目超过减小阈值,则减小所述PWM信号的脉冲宽度。
10.根据权利要求9所述的电路,其中所述过度过电压状况检测电路进一步被配置成在超过所述减小阈值的情况下,随着每次接收到指示所述过电压状况的信号而逐渐地减小所述PWM信号的脉冲宽度。
11.根据权利要求10所述的电路,其中所述过度过电压状况检测电路进一步被配置成如果接收到的指示所述过电压状况的信号的数目超过关断阈值,则禁用所述PWM信号的生成。
12.根据权利要求6所述的电路,其中所述PWM发生器电路包括被配置成响应于指示所述过电压状况的所述信号而禁用所述PWM信号的生成的禁用电路。
13.一种用于过电压保护的方法,包括:
向驱动晶体管的控制端子施加驱动信号,所述驱动晶体管包括被配置成用于连接到负载电路的导电端子;
感测跨过所述驱动晶体管的第一导电端子和第二导电端子的电压;
通过比较器将感测的所述电压与接收的电压阈值相比较,所述比较器具有分别用于接收电压阈值和感测的所述电压的反相输入端子和非反相输入端子;
响应于所述比较而生成指示过电压状况的信号;以及
响应于脉宽调制PWM信号而生成所述驱动信号,其中所述生成还包括响应于指示所述过电压状况的所述信号而无论所述PWM信号如何均迫使所述驱动晶体管导通。
14.根据权利要求13所述的方法,还包括响应于指示所述过电压状况的所述信号而起动用于PWM信号生成的软启动过程。
15.根据权利要求13所述的方法,还包括响应于指示所述过电压状况的所述信号而禁用PWM信号生成。
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