[发明专利]一种ZnMgO紫外探测器有效
| 申请号： | 201810763326.8 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108922930B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈星;刘可为;李炳辉;张振中;申德振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/036;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇;赵青朵 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 znmgo 紫外 探测器 | ||
1.一种ZnMgO紫外探测器，其特征在于，包括：
ZnMgO薄膜层；所述ZnMgO薄膜层的晶体结构为立方相；
所述ZnMgO薄膜层按照以下方法制备：
以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，在通入氧气的金属有机化合物化学气相沉积设备中生长ZnMgO薄膜层；
所述ZnMgO薄膜层中Mg的摩尔百分数为Zn与Mg的摩尔选为(1～4)：(9～6)；
所述ZnMgO薄膜层的吸收截止边为220～240nm；
所述ZnMgO薄膜层的厚度为100～600nm；
所述ZnMgO紫外探测器的光响应截止边为275～350nm；
所述有机锌化合物以第一保护气体作为载气；所述第一保护气体的流速为15ml/min；所述有机镁化合物以第二保护气体作为载体；所述第二保护气体的流速为30～80ml/min；所述氧气的流速为150～1850ml/min；
所述生长的温度为450℃；所述生长的时间为0.5～5h；所述生长的真空度为1×104Pa；
生长结束后，降温至室温，得到ZnMgO薄膜；所述降温的速率为5℃/min；
所述有机锌化合物为二乙基锌和/或二甲基锌；所述有机镁化合物为二甲基二茂镁和/或二茂镁；
固定其他参数，仅调节氧气流量，得到光吸收截止边相同，光相应截止边不同的ZnMgO薄膜层。
2.根据权利要求1所述的ZnMgO紫外探测器，其特征在于，包括：
衬底；
设置于衬底上的ZnMgO薄膜层；
设置于ZnMgO薄膜层上的电极层。
3.根据权利要求2所述的ZnMgO紫外探测器，其特征在于，还包括设置于电极层上的电极粒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
