[发明专利]半导体图像传感器

说明书

本发明实施例涉及一种半导体图像传感器。本发明实施例揭露一种背照式BSI图像传感器，其包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；及多个像素传感器，其布置成阵列。所述像素传感器中的每一个包括：感光装置，其位于所述衬底中；彩色滤光器，其位于所述背面上的所述感光装置上方；及光学结构，其位于所述背面上的所述彩色滤光器上方。所述光学结构包括第一侧壁，且所述第一侧壁及大体上与所述衬底的前表面平行的平面形成大于0°的夹角。

技术领域

本发明实施例涉及半导体图像传感器。

背景技术

数字摄影机及其它成像装置采用图像传感器。图像传感器将光学图像转换为可表示为数字图像的数字数据。一图像传感器包括一像素传感器阵列及支持逻辑电路。阵列的像素传感器是用于测量入射光的单位装置，且支持逻辑电路促进测量读出。常用于光学成像装置中的一图像传感器类型是背照式(BSI)图像传感器。BSI图像传感器制造可整合到常规半导体程序中以降低成本、减小尺寸及提高整合度。此外，BSI图像传感器具有低操作电压、低电力消耗、高量子效率、低读出噪声且允许随机存取。

发明内容

本发明的实施例揭露一种背照式(BSI)图像传感器，其包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；像素传感器，其位于所述衬底中；绝缘结构，其安置于所述背面上的所述衬底上方，所述绝缘结构包括面向所述正面的第一表面及面向所述背面的第二表面，且所述第二表面包括朝向所述正面弯曲的弯曲表面；彩色滤光器，其位于所述背面上的所述衬底上方；及微透镜，其位于所述背面上的所述彩色滤光器上方。

本发明的实施例揭露一种背照式(BSI)图像传感器，其包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；及多个像素传感器，其布置成阵列，且所述像素传感器中的每一个包括：感光装置，其位于所述衬底中；彩色滤光器，其位于所述背面上的所述感光装置上方；及光学结构，其位于所述彩色滤光器上方，其中所述光学结构包括第一侧壁，且所述第一侧壁及大体上与所述衬底的前表面平行的平面形成大于0°的夹角。

本发明的实施例揭露一种背照式(BSI)图像传感器，其包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；像素传感器，其位于所述衬底中；彩色滤光器，其位于所述背面上的所述衬底上方；及多个微透镜，其位于所述彩色滤光器上方，其中所述微透镜中的每一个的底面积小于所述彩色滤光器的顶面积，且所述多个微透镜的所述底面积的总和大于所述彩色滤光器的所述顶面积。

附图说明

从结合附图来解读的以下详细描述最佳地理解本揭露的方面。应注意，根据业界标准做法，各种装置未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种装置的尺寸。

图1是根据一或多个实施例中的本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的剖面图。

图2A到2E是根据一或多个实施例中的本揭露的方面所构造的各种制造阶段中的BSI图像传感器的像素传感器的一系列剖面图。

图3是根据一或多个实施例中的本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的剖面图。

图4A到4B是根据一或多个实施例中的本揭露的方面所构造的各种制造阶段中的BSI图像传感器的像素传感器的一系列剖面图。

图5是根据一或多个实施例中的本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的剖面图。

图6A到6B是根据一或多个实施例中的本揭露的方面所构造的各种制造阶段中的BSI图像传感器的像素传感器的一系列剖面图。

图7是根据一或多个实施例中的本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的剖面图。

图8是根据一或多个实施例中的本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的剖面图。

图9是根据一或多个实施例中的本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的剖面图。