[发明专利]一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法

权利要求书

1.一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；

按照LDD光罩的图形在沟道区域内注入重掺杂P型杂质，进行高温退火激活处理；在LDD光罩位置注入的P型杂质与沟道区域的基区或阱区的掺杂类型相同。

2.如权利要求1所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，所述P型杂质的注入剂量为1E14～1E15cm^-2，能量为50-70Kev。

3.如权利要求1所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，在对器件的沟道区域注入光刻前，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：

提供硅衬底；

在所述硅衬底上生长出外延硅层；

进行P型杂质注入，注入剂量为5E12～5E13cm^-2，能量为50-80Kev，并进行高温退火处理形成P阱。

4.如权利要求1所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，在进行高温退火激活处理后，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：

按照N+/P+光罩的图形，分别形成源端和体接触的图形；

按照P+光罩图形注入P型杂质，注入剂量为5E14～5E15cm^-2，能量为50-100Kev，并进行高温退火处理形成P+体接触端；按照N+光罩图形注入N型杂质，注入剂量为5E14～1E16cm^-2，能量为50-80Kev，并进行高温退火处理形成N+源端；

进行栅氧SiO2生长和多晶硅的淀积；

对栅氧SiO2和多晶硅进行光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端；

进行介质隔离层淀积，完成接触孔和金属淀积光刻，接出源端、体接触和栅端，形成完整的VDMOS功率器件。

5.如权利要求3所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，在进行P型杂质注入之前，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：按照P阱光罩的图形，形成所需P阱的图形。

6.如权利要求3所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，所述硅衬底的电阻率为0.002～0.004Ω·cm。

7.如权利要求3所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，所述外延硅层的电阻率为3-24Ω·cm，厚度为3um-50um。

8.如权利要求4所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，所述P型杂质的种类包括B和BF2；所述N型杂质的种类包括P、As和In。

9.一种根据权利要求1-8任一所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法制作出的VDMOS功率器件。