[发明专利]场阻型IGBT结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810765325.7 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109166914B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 黄平 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201414 上海市奉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场阻型 igbt 结构 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.场阻型IGBT结构的制作方法，其特征在于，该场阻型IGBT结构具有N漂移区域，所述N漂移区域具有相对的正面结构和背面结构，包括如下步骤：
(1)正面结构成型步骤；
(2)减薄步骤；
(3)背面用蒸发或者溅射的方法覆盖一N型Ge层或者N型Si层，以在背面形成一N型缓冲层，所述N型缓冲层为N型Ge层或者N型Si层，用N型掺杂Ge材料或者N型掺杂Si材料蒸发或者溅射形成；
(4)背面用蒸发或者溅射的方法覆盖一P型Ge层或者P型Si层，以在所述N型缓冲层上形成一集电极层，所述集电层为P型Ge层或者P型Si层，用P型掺杂Ge材料或者P型掺杂Si材料蒸发或者溅射形成；
所述正面结构成型步骤包括如下步骤：
(1.1)P-body和N+注入推进步骤；
(1.2)Trench刻蚀步骤；
(1.3)Gate氧化和多晶硅淀积步骤；
(1.4)SiO2介质淀积步骤；
(1.5)接触孔刻蚀步骤；
(1.6)正面金属化步骤；
(1.7)硅片正面钝化步骤。
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