[发明专利]墨水组合物、纳米颗粒膜及光电子器件

说明书

本申请提供一种墨水组合物，包括纳米颗粒和溶剂，其特征在于，按照质量分数计，所述墨水组合物中，所述纳米颗粒的质量分数为2％～40％。本申请通过控制纳米颗粒的质量分数，可以显著减小墨水组合物在干燥过程中的咖啡环现象，有效提高了纳米颗粒膜的成膜质量。

技术领域

本申请属于纳米技术领域，尤其涉及一种墨水组合物、纳米颗粒膜及光电子器件。

背景技术

纳米颗粒在光电子器件中具有极大的应用前景，如CdSe纳米颗粒、CdS纳米颗粒、InP纳米颗粒等被广泛用作电致发光器件的发光材料，如ZnO纳米颗粒、MgO纳米颗粒、NiO纳米颗粒等被广泛用作电致发光器件和光伏器件的载流子传输材料。

现有常见的制备纳米颗粒膜的方法为，将含有纳米颗粒的墨水组合物通过喷墨打印的方式沉积在基底后干燥得到。但是，在干燥墨水组合物时，纳米颗粒容易在墨水液滴边缘沉积成环，导致明显的咖啡环现象。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种墨水组合物，以减小墨水组合物在干燥过程中的咖啡环现象。

根据本申请的一个方面，提供一种墨水组合物，包括纳米颗粒和溶剂，按照质量分数计，墨水组合物中，纳米颗粒的质量分数为2％～40％。

进一步的，所述墨水组合物用于喷墨打印。

进一步的，所述纳米颗粒的质量分数为4％～20％。

进一步的，所述纳米颗粒的平均尺寸为1纳米～20纳米。

进一步的，所述纳米颗粒包括第一纳米颗粒和第二纳米颗粒，所述第一纳米颗粒为禁带宽度在1.63eV～3.1eV的半导体材料，所述第二纳米颗粒的禁带宽度大于3.1eV。

进一步的，所述第一纳米颗粒选自IIB-VIA族化合物、IIIA-VA族化合物、IB-IIIA-VIA族化合物和钙钛矿中的至少一种。

进一步的，所述纳米颗粒包括第一纳米颗粒和第二纳米颗粒，所述第一纳米颗粒为具有电子传输性或者空穴传输性的半导体材料，所述第二纳米颗粒的禁带宽度大于4.5eV。

进一步的，所述纳米颗粒为IIB-VIA族化合物、VIII-VIA族化合物、IVB-VIA族化合物、IIIB-VIA族化合物或者IIIA-VIA族化合物。

进一步的，所述墨水组合物中，所述第一纳米颗粒的质量分数和所述第二纳米颗粒的质量分数的比值为1:(0.05～0.3)。

根据本申请的一个方面，提供一种纳米颗粒膜，纳米颗粒膜由上述墨水组合物制备。

根据本申请的一个方面，提供一种光电子器件，该光电子器件包含上述纳米颗粒膜。

有益效果：在本申请的墨水组合物中，通过控制纳米颗粒的质量分数，可以显著减小墨水组合物在干燥过程中的咖啡环现象，有效提高了纳米颗粒膜的成膜质量。

附图说明

图1为本申请对比例1中纳米颗粒膜的膜图案；

图2为本申请示意性的实施方式中纳米颗粒膜的膜图案。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式，对本申请实施例中的技术方案进行详细的描述。应注意的是，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。

本申请提供一种墨水组合物，包括纳米颗粒和溶剂，按照质量分数计，墨水组合物中，纳米颗粒的质量分数为2％～40％。