[发明专利]超声波换能器阵列及其制作和封装方法有效
申请号: | 201810767230.9 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN109192749B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 鲁瑶;万里兮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/20 | 分类号: | H01L27/20;H01L41/25;H01L41/29;H01L41/332;A61B8/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 超声波 换能器 阵列 及其 制作 封装 方法 | ||
1.一种超声波换能器阵列,包括:
接收发射层,所述接收发射层用于发射和接收超声波信号;
正极层,所述正极层设置在所述接收发射层的第一侧上;以及
负极层,所述负极层设置在所述接收发射层的与所述第一侧相对的第二侧上,所述负极层的端部形成有端部阵元,所述端部阵元形成具有相对于所述负极层的表面凹陷的表面,其中,所述端部阵元通过切割压电材料的端部表面形成,所述端部阵元实现负极互联线键合;
其特征在于,所述接收发射层和所述正极层被间隔填充物分割成多个超声波换能器阵元,使得所述多个超声波换能器阵元中的每一个均具有自身的正极,并且所述多个超声波换能器阵元具有公共的负极;
所述正极层包括设置在所述接收发射层的第一侧上的第一镍层和设置在所述第一镍层上的第一金层,以及所述负极层包括设置在所述接收发射层的第二侧上的第二镍层和设置在所述第二镍层上的第二金层;
所述第一镍层和所述第一金层只存在于所述超声波换能器阵元下方,所述间隔填充物的下方没有所述第一镍层和所述第一金层;所述第二镍层和所述第二金层均是完整的一层,即在所述超声波换能器阵元和所述间隔填充物上方均存在。
2.根据权利要求1所述的超声波换能器阵列,其特征在于,所述多个超声波换能器阵元形成N×N阵列,N为正整数。
3.根据权利要求1所述的超声波换能器阵列,其特征在于,所述间隔填充物包括环氧树脂。
4.根据权利要求1所述的超声波换能器阵列,其特征在于,在所述负极层上设置有覆盖所述多个超声波换能器阵元并且暴露所述负极层的端部的声学匹配层,所述负极层的暴露的端部用于负极的引出。
5.一种制作如权利要求1所述超声波换能器阵列的方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.提供用于形成接收发射层的压电材料,在所述压电材料的第二侧上切割所述压电材料的端部的表面,以形成相对于所述压电材料的表面凹陷的表面;
S2.在所述压电材料的第二侧上沉积负极层;
S3.在所述压电材料的第一侧上沉积正极层;以及
S4.利用刻蚀工艺将所述压电材料和所述正极层刻蚀成多个超声波换能器阵元。
6.根据权利要求5所述的制作超声波换能器阵列的方法,其特征在于,
步骤S2包括在所述压电材料的第二侧上沉积第二镍层。
7.根据权利要求6所述的制作超声波换能器阵列的方法,其特征在于,步骤S3包括:
S31.在所述压电材料的第一侧上淀积种子层并在所述种子层上旋涂光刻胶;
S32.提供光源和掩膜版,利用所述光源和掩膜版对所述压电材料的第一侧进行曝光;
S33.将所述压电材料放入显影液中显影,使所述光刻胶的剩余部分对应所述多个超声波换能器阵元之间的间隙部分;以及
S34.在所述压电材料上的由于所述光刻胶的溶解而被暴露出的种子层上电镀第一镍层。
8.根据权利要求7所述的制作超声波换能器阵列的方法,其特征在于,步骤S4包括:
从所述压电材料的第一侧利用干法刻蚀在所述第一镍层和所述第二镍层之间形成所述多个超声波换能器阵元之间的贯穿所述第一镍层的间隙,并且在所述间隙中填充环氧树脂。
9.根据权利要求8所述的制作超声波换能器阵列的方法,其特征在于,步骤S2进一步包括在所述第二镍层上沉积第二金层。
10.根据权利要求8所述的制作超声波换能器阵列的方法,其特征在于,步骤S3进一步包括在所述第一镍层上沉积第一金层。
11.根据权利要求5所述的制作超声波换能器阵列的方法,其特征在于,所述方法还包括:
S5.在所述负极层上设置覆盖所述多个超声波换能器阵元并且暴露所述负极层的端部的声学匹配层,所述负极层的暴露的端部用于负极的引出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810767230.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:LED显示模组
- 下一篇:低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的