[发明专利]包括晶片过度移位指示图案的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

封装基板，该封装基板包括晶片附接区域；

半导体晶片，该半导体晶片附接到所述晶片附接区域；以及

晶片过度移位指示图案，该晶片过度移位指示图案设置在所述封装基板上或所述封装基板中并且与所述晶片附接区域分隔开，

其中，使用所述晶片过度移位指示图案作为用于获得所述半导体晶片的移位距离的参考图案，并且

其中，所述晶片过度移位指示图案被设置成使得当所述半导体晶片相对于所述晶片附接区域移位比允许范围大的距离时，所述晶片过度移位指示图案的至少一部分被所述半导体晶片覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案包括与所述晶片附接区域的侧面处的线平行的线形图案。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案包括彼此分隔开并且彼此平行的两个线形图案。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案是在所述封装基板的表面处被雕刻的凹槽形图案。

5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述凹槽形图案形成在所述封装基板中包括的阻焊层中。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案从所述封装基板的表面突出。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案是设置在所述封装基板的表面上的墨水印刷图案。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案位于与形成在所述封装基板中的互连图案相同的水平处。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案包括导电层。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案设置在所述封装基板的侧表面和所述晶片附接区域之间。

11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案是与所述封装基板的侧表面平行的线形图案。

12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案包括：

第一晶片过度移位指示图案，该第一晶片过度移位指示图案与所述封装基板的侧表面平行地延伸；以及

第二晶片过度移位指示图案，该第二晶片过度移位指示图案设置在所述第一晶片过度移位指示图案和与所述第一晶片过度移位指示图案平行的所述晶片附接区域之间，

其中，所述第二晶片过度移位指示图案和所述晶片附接区域之间的距离等于所述第一晶片过度移位指示图案和所述第二晶片过度移位指示图案之间的距离。

13.一种半导体封装，该半导体封装包括：

封装基板，该封装基板包括晶片附接区域；

第一半导体晶片，该第一半导体晶片附接到所述晶片附接区域；

第二半导体晶片，该第二半导体晶片层叠在所述第一半导体晶片上并且与所述第一半导体晶片存在偏移；以及

晶片过度移位指示图案，该晶片过度移位指示图案设置在所述封装基板上或所述封装基板中并且与所述晶片附接区域分隔开，

其中，使用所述晶片过度移位指示图案作为用于获得所述第二半导体晶片的移位距离的参考图案，并且

其中，所述晶片过度移位指示图案被设置成使得当所述第二半导体晶片相对于所述晶片附接区域移位比允许范围大的距离时，所述晶片过度移位指示图案的至少一部分被所述第二半导体晶片覆盖。

14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中，所述晶片过度移位指示图案包括与所述晶片附接区域的侧面处的线平行的线形图案。