[发明专利]制造集成电路器件的方法

权利要求书

1.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

在基板上形成含碳的膜；

在所述含碳的膜上形成含硅的有机抗反射膜，由此在所述基板上形成由所述含碳的膜和所述含硅的有机抗反射膜构成的堆叠掩模结构体；

蚀刻所述含硅的有机抗反射膜，从而形成使所述含碳的膜的选定部分暴露的含硅的有机抗反射图案；

使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜以形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面；和

通过由所述复合掩模限定的多个空间将作为杂质的离子注入到所述基板中，

其中所述含碳的膜包括旋涂硬掩模膜或者无定形碳层，所述旋涂硬掩模膜包括如下有机化合物：所述有机化合物具有基于所述有机化合物的总重量的85重量％-99重量％的碳含量，

其中所述复合掩模的形成包括通过使用包括含硫气体的蚀刻气体对所述含碳的膜进行等离子体蚀刻而形成含碳的掩模图案，和

所述轮廓控制衬料包括在所述含碳的膜的等离子体蚀刻期间得自所述含硫气体的硫。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅的有机抗反射膜包括具有10重量％-50重量％的硅含量的交联聚合物。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅的有机抗反射图案的形成包括用包含其中x和y各自为1-10的整数并且z为0-10的整数的C_xF_yH_z的气体对所述含硅的有机抗反射膜进行等离子体蚀刻。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述含硫气体包括COS、CS₂、SO₂、或其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体进一步包括O₂。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体进一步包括O₂，和

在所述含碳的膜的等离子体蚀刻期间，所述含硫气体是以第一流速供应的且所述O₂是以等于或大于所述第一流速的第二流速供应的。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述复合掩模具有限定所述多个空间的内侧壁表面，和所述内侧壁表面基本上垂直于所述基板的主表面。

8.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在已经将所述离子注入到所述基板中之后，使用包括H₂SO₄的第一蚀刻剂除去所述含硅的有机抗反射图案，和

使用具有与所述第一蚀刻剂的组成不同的组成的第二蚀刻剂除去所述复合掩模。

9.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

在基板的多个活性区域上形成堆叠掩模结构体，所述堆叠掩模结构体包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜；

通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；

形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面，其中所述复合掩模是通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成的；

使用所述复合掩模作为离子注入掩模将作为杂质的离子注入到所述多个活性区域的一些中；和

除去所述含硅的有机抗反射图案和所述复合掩模，

其中所述含碳的膜包括旋涂硬掩模膜或者无定形碳层，所述旋涂硬掩模膜包括如下有机化合物：所述有机化合物具有基于所述有机化合物的总重量的85重量％-99重量％的碳含量，

其中所述复合掩模的形成包括通过使用包括含硫气体的蚀刻气体对所述含碳的膜进行等离子体蚀刻而形成含碳的掩模图案，和

所述轮廓控制衬料包括在所述含碳的膜的等离子体蚀刻期间得自所述含硫气体的硫。