[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201810768343.0 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN109256446B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 陈昭兴;萧长泰;王佳琨;许启祥;陈之皓;林永翔;郭欧瑞 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/24 | 分类号: | H01L33/24;H01L33/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包含:
第一半导体层;
多个半导体柱,位于该第一半导体层上,该多个半导体柱分别包含第二半导体层及活性层;
第一电极,覆盖该多个半导体柱的一部分,且电性连接该第一半导体层;以及
第二电极,连续覆盖该多个半导体柱的另一部分的第一半导体柱及第二半导体柱,且电性连接该第一半导体柱的该第二半导体层及该第二半导体柱的该第二半导体层,其中位于该第一电极的覆盖区域下方的该多个半导体柱包含第一间距以彼此分离,位于该第一电极的该覆盖区域以外的该多个半导体柱包含第二间距以彼此分离,及该第一间距的宽度大于该第二间距的宽度。
2.一种发光元件,其特征在于,包含:
第一半导体层;
多个半导体柱,位于该第一半导体层上,该多个半导体柱分别包含第二半导体层及活性层;
第一电极,覆盖该多个半导体柱的一部分,且电性连接该第一半导体层;
第二电极,连续覆盖该多个半导体柱的另一部分的第一半导体柱及第二半导体柱,且电性连接该第一半导体柱的该第二半导体层及该第二半导体柱的该第二半导体层;以及
半导体平台,包含该第一半导体层及该第二半导体层位于该第一电极下方,其中位于该第一电极的覆盖区域以外的该多个半导体柱包含一间距以彼此分离,该半导体平台包含一宽度大于该间距的一宽度。
3.一种发光元件,其特征在于,包含:
第一半导体层;
多个半导体柱,位于该第一半导体层上,该多个半导体柱分别包含第二半导体层及活性层;
第一接触层,含第一接触部及第一延伸部,该第一接触部包含面积大于该多个半导体柱之一的面积,该第一延伸部环绕该多个半导体柱;
第一电极,覆盖该多个半导体柱的一部分,且电性连接该第一半导体层;以及
第二电极,连续覆盖该多个半导体柱的另一部分的第一半导体柱及第二半导体柱,且电性连接该第一半导体柱的该第二半导体层及该第二半导体柱的该第二半导体层,其中该第一接触部位于该第一电极或该第二电极的下方。
4.如权利要求3所述的发光元件,还包含第二接触层位于该第二半导体层上。
5.如权利要求4所述的发光元件,还包含第一绝缘层位于该第一接触层上及该第二接触层上,以及第二绝缘层位于该第一绝缘层上,其中该第一绝缘层包含第一绝缘层的第一开口及该第二绝缘层包含第二绝缘层的第一开口皆位于该第一接触层上;该第一绝缘层包含第一绝缘层的第二开口位于该第二接触层上;以及该第二绝缘层包含第二绝缘层的第二开口位于该第一接触层上。
6.如权利要求4所述的发光元件,还包含第一电极接触层位于该第一接触层及该第一电极之间;第二电极接触层位于该第二接触层及该第二电极之间,其中该第一电极接触层为该第二电极接触层所环绕。
7.如权利要求6所述的发光元件,其中该第一电极接触层覆盖该第一接触层的部分,及该第二电极接触层覆盖该第二接触层的全部。
8.如权利要求6所述的发光元件,其中该第一电极接触层包含一宽度大于该半导体柱的一宽度。
9.一种发光元件,其特征在于,包含:
第一半导体层,包含第一上表面;
多个半导体柱,位于该第一半导体层上,该多个半导体柱分别至少包含第二半导体层及活性层,其中该活性层包含一第二上表面,且位于该第一半导体层上并露出该第一半导体层的该第一上表面,该第二半导体层位于该活性层上并露出该活性层的该第二上表面;
第一电极,覆盖该多个半导体柱的一部分,且电性连接该第一半导体层;以及
第二电极,连续覆盖该多个半导体柱的另一部分的第一半导体柱及第二半导体柱,且电性连接该第一半导体柱的该第二半导体层及该第二半导体柱的该第二半导体层,其中发光元件发出一UV光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810768343.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。