[发明专利]摄像装置

权利要求书

1.一种摄像装置，具备：

半导体基板；以及

像素，位于所述半导体基板的表面，

所述半导体基板包含：

第一区域，包含第一导电型的杂质；以及

第二区域，包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质，位于所述第一区域的所述表面侧，

所述像素包含：

光电转换部，将光转换为电荷；

第一扩散区域，包含所述第一导电型的杂质，位于所述第二区域的所述表面侧，积蓄所述电荷；以及

第二扩散区域，是在包含所述第一导电型的杂质且位于所述第二区域的所述表面侧的多个扩散区域之中与所述第一扩散区域最近的扩散区域，

所述第二扩散区域与所述第一区域的距离为所述第二扩散区域与所述第一扩散区域的距离的1.5倍以下。

2.如权利要求1所述的摄像装置，

所述像素包含第一晶体管，该第一晶体管包含所述第二扩散区域作为源极或漏极。

3.如权利要求1所述的摄像装置，

所述第二扩散区域与所述第一区域的距离为所述第二扩散区域与所述第一扩散区域的距离以下。

4.如权利要求2所述的摄像装置，

所述第一晶体管包含所述第一扩散区域作为源极或漏极。

5.如权利要求2所述的摄像装置，

所述像素包含第二晶体管，该第二晶体管包含所述第一扩散区域作为源极或漏极，

所述第一晶体管与所述第二晶体管不同。

6.如权利要求1所述的摄像装置，

所述第一区域包含：

第一部分，与所述第一扩散区域对置，且面对所述第二区域；以及

第二部分，与所述第一扩散区域不对置，且面对所述第二区域，

所述第一部分与所述表面的距离比所述第二部分与所述表面的距离小。

7.如权利要求1所述的摄像装置，

所述第一区域与所述第二区域的界面中的与所述第一扩散区域对置的部分向所述表面成为凸形状。

8.如权利要求1所述的摄像装置，

穿过所述第一扩散区域的中心且相对于所述半导体基板的所述表面沿深度方向的电势曲线具有：

第一范围，电势单调减小；

第二范围，电势单调增加；以及

第三范围，位于所述第一范围与所述第二范围之间，与所述第一范围及所述第二范围相比斜率的绝对值更小，

所述第三范围的宽度比所述第一范围的宽度与所述第二范围的宽度之和更小。

9.如权利要求1所述的摄像装置，

所述光电转换部位于所述半导体基板的所述表面的上方。

10.一种摄像装置，具备：

半导体基板；以及

像素，位于所述半导体基板的表面，

所述半导体基板包含：

第一区域，包含第一导电型的杂质；以及

第二区域，包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质，位于所述第一区域的所述表面侧，

所述像素具备：

光电转换部，将光转换为电荷；以及

第一扩散区域，包含所述第一导电型的杂质，位于所述第二区域的所述表面侧，积蓄所述电荷，

穿过所述第一扩散区域的中心且相对于所述半导体基板的所述表面沿深度方向的电势曲线具有：

第一范围，电势单调减小；

第二范围，电势单调增加；以及

第三范围，位于所述第一范围与所述第二范围之间，与所述第一范围及所述第二范围相比斜率的绝对值更小，

所述第三范围的宽度比所述第一范围的宽度与所述第二范围的宽度之和更小。

11.如权利要求10所述的摄像装置，

所述第一区域与所述第二区域的界面中的与所述第一扩散区域对置的部分向所述表面成为凸形状。

12.如权利要求10所述的摄像装置，

所述光电转换部位于所述半导体基板的所述表面的上方。