[发明专利]硅片清洗装置及其清洗方法在审
| 申请号： | 201810768670.6 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109087870A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘文燕;李芳;朱也方 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗液 硅片 气体产生机构 保护机构 清洗腔体 保护气体 固定机构 硅片背面 硅片清洗装置 硅片清洗 硅片正面 选择性清洗 加注装置 连接保护 上下移动 压力形成 侧面 加注 清洗 平衡 | ||
1.一种硅片清洗装置，其特征在于，包括：气体产生机构、保护机构、清洗腔体、固定机构和清洗液加注机构；
硅片正面向下通过固定机构固定在清洗腔体中，气体产生机构连接保护机构，保护机构位于固定机构下方，保护机构能在清洗腔体中上下移动靠近或远离硅片，气体产生机构通过保护机构向硅片正面输送保护气体，清洗液加注装置设置在硅片上方；
清洗腔体中气体产生机构输送保护气体所产生的压力与硅片背面的清洗液所产生的压力形成平衡，清洗液仅存在于硅片背面和硅片侧面，或清洗液仅存在于硅片背面。
2.如权利要求1所述硅片清洗装置，其特征在于：保护机构是具有气孔保护盖板。
3.如权利要求2所述硅片清洗装置，其特征在于：气孔均匀分布在保护盖板上。
4.如权利要求2所述硅片清洗装置，其特征在于：气孔在保护盖板上形成多个同心的气孔环。
5.如权利要求1所述硅片清洗装置，其特征在于：固定机构是至少3个pin，硅片通过pin固定。
6.如权利要求1所述硅片清洗装置，其特征在于：保护气体是N2。
7.如权利要求6所述硅片清洗装置，其特征在于：保护气体N2流量为80ml/min～120ml/min。
8.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将硅片正面向下固定在一清洗腔体内；
2)对硅片正面输送预定流量的保护气体；
3)在硅片背面加注清洗液；
4)当清洗液达到欲清洗部位，保持保护气体流量使保护气体所产生的压力与硅片背面的清洗液所产生的压力形成平衡；
5)实施硅片背面和硅片侧面清洗，或硅片清洗。
9.如权利要求7所述硅片清洗方法，其特征在于：保护气体是N2。
10.如权利要求9所述硅片清洗方法，其特征在于：保护气体N2流量为80ml/min～120ml/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
