[发明专利]电致变色玻璃及其制备方法有效
申请号: | 201810769464.7 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN109031838B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 易伟华;张迅;张伯伦;周慧蓉 | 申请(专利权)人: | 江西沃格光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/153 | 分类号: | G02F1/153;G02F1/1524 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 潘霞 |
地址: | 338004 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变色 玻璃 及其 制备 方法 | ||
1.一种电致变色玻璃,其特征在于,包括第一玻璃基板及依次层叠在所述第一玻璃基板上的第一透明导电层、电致变色层、离子导体层、导电剂层、离子储存层、第二透明导电层和第二玻璃基板,其中,所述第一透明导电层及所述第二透明导电层的材料为氧化铟锡;所述第一透明导电层及第二导电层的厚度为40nm;所述电致变色层的材料为三氧化钨,厚度为220nm;所述离子导体层的材料为LiNbO3,厚度为8μm;所述导电剂层的原料为乙炔黑、乙酸乙烯、丙烯酸酯和聚偏乙烯,所述乙炔黑、所述乙酸乙烯、所述丙烯酸酯和所述聚偏乙烯的质量比为50:20:20:10;
所述离子储存层的原料为TiS2粉体、乙炔黑、聚偏乙烯及N-甲基吡咯烷酮;所述TiS2粉体、所述乙炔黑、所述聚偏乙烯及所述N-甲基吡咯烷酮的质量比为60:10:10:20;所述TiS2粉体颗粒的大小为5μm~10μm;
所述第一透明导电层、所述第二透明导电层、所述电致变色层及所述离子导体层均采用磁控溅射方法制备;所述导电剂层及所述离子储存层均采用丝网印刷方法制备。
2.一种电致变色玻璃的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
采用磁控溅射的方法在第一玻璃基板上溅射沉积氧化铟锡,形成厚度为40nm第一透明导电层;
采用磁控溅射的方法在所述第一透明导电层上溅射沉积三氧化钨,形成厚度为220nm的电致变色层;
采用磁控溅射的方法在所述电致变色层上溅射沉积LiNbO3,形成厚度为8μm的离子导体层;
采用磁控溅射的方法在第二玻璃基板上溅射沉积氧化铟锡,形成厚度为40nm第二透明导电层;
采用丝网印刷方法在所述第二透明导电层上形成离子储存层;所述离子储存层的原料为TiS2粉体、乙炔黑、聚偏乙烯及N-甲基吡咯烷酮;所述TiS2粉体、所述乙炔黑、所述聚偏乙烯及所述N-甲基吡咯烷酮的质量比为60:10:10:20;所述TiS2粉体颗粒的大小为5μm~10μm;
采用丝网印刷方法在所述离子储存层上形成导电剂层,其中,所述导电剂层的原料为乙炔黑、乙酸乙烯、丙烯酸酯和聚偏乙烯,所述乙炔黑、所述乙酸乙烯、所述丙烯酸酯和所述聚偏乙烯的质量比为50:20:20:10;
将所述离子导体层与所述导电剂层相贴合。
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