[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一存储部分、第一周边电路部分和第二周边电路部分；以及堆叠在第二周边电路部分上的第二存储部分和布线部分，其中第一存储部分包括多个第一存储单元，第一存储单元的每个包括单元晶体管和连接到单元晶体管的电容器，第二存储部分包括多个第二存储单元，第二存储单元的每个包括彼此串联联接的可变电阻元件和选择元件，布线部分包括多个线图案，其中线图案和第二存储单元相对于衬底高于电容器。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件，更具体地，涉及具有拥有不同操作特性的存储单元的半导体器件。

背景技术

半导体器件可以包括存储器件和逻辑器件。存储器件存储数据。通常，半导体存储器件可以包括易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件，例如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)，是在没有电力时丢失存储的数据的存储器件。非易失性存储器件，例如可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPRM)和闪速存储器件，是在没有电力时不丢失存储的数据的存储器件。

下一代半导体存储器件，例如磁性随机存取存储器(MRAM)和相变随机存取存储器(PRAM)，是高性能和低功耗的器件。下一代半导体存储器件包括这样的材料，该材料的电阻取决于施加的电流或电压而不同，并且即使施加的电流或电压被中断该材料的电阻仍被保持。

发明内容

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件可以包括：设置在衬底上的第一存储部分、第一周边电路部分和第二周边电路部分；以及堆叠在第二周边电路部分上的第二存储部分和布线部分，其中第一存储部分可以包括多个第一存储单元，第一存储单元的每个包括单元晶体管和连接到单元晶体管的电容器，第二存储部分可以包括多个第二存储单元，第二存储单元的每个包括彼此串联联接的可变电阻元件和选择元件，布线部分可以包括多个线图案，其中线图案和第二存储单元相对于衬底高于电容器。

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件可以包括包含第一器件区域和第二器件区域的衬底、在第一器件区域上的第一存储部分、以及堆叠在第二器件区域上的第二存储部分和布线部分，其中第一存储部分可以包括电容器结构，第二存储部分可以包括布置在衬底上的多个可变电阻元件以及串联联接到对应的可变电阻元件的多个选择元件，布线部分可以包括多个线图案，其中线图案、可变电阻元件和选择元件比电容器结构距离衬底更高。

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：衬底；沿着第一方向彼此挨着设置的第一存储部分和第一周边电路部分；设置在第一存储部分和第一周边电路部分上的第一布线部分；以及在实质上垂直于第一方向的第二方向上堆叠的第二周边电路部分、第二布线部分和第二存储部分，其中第二存储部分相对于衬底设置在第一存储部分上方。

附图说明

图1是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件内部的布置的剖视图。

图2是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的图1的第一存储部分、第一周边电路部分、第二存储部分和第二周边电路部分的布置的俯视图。

图3是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的图1的第一存储部分的存储单元阵列的电路图。

图4是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的图1的第二存储部分的存储单元阵列的电路图。

图5是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的图1的第二存储部分的单位存储单元的电路图。

图6是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的俯视图。

图7是根据本发明构思的一示例性实施方式的沿图6的线I-I'、II-II'和III-III'截取的剖视图。

图8是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的图7的部分A的放大图。