[发明专利]薄膜、薄膜太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明实施例是关于一种薄膜、薄膜太阳能电池及其制备方法，涉及薄膜技术领域，主要解决的技术问题是覆盖膜层阻水性能较差。主要采用的技术方案为：一种薄膜的制备方法包括：采用第一沉积工艺在树脂膜层的表面上形成第一沉积层，使第一沉积层树脂膜层的表面的表孔被封盖；采用第二沉积工艺在所述第一沉积层上形成无机材料的第二沉积层。本发明的实施例中，由于树脂膜层本身的表孔被第一沉积层封盖，使得无机材料的第二沉积层形成的无机薄膜层具备较好的阻水性能，薄膜、薄膜太阳能电池的阻水性能较高。

技术领域

本发明实施例涉及薄膜技术领域，特别是涉及一种薄膜、薄膜太阳能电池及其制备方法。

背景技术

相较于常规的晶体硅太阳能，薄膜太阳能电池具有重量轻、厚度薄、可折叠等多种优点，且易于实现规模的商业化生产，是光伏发电高效的太阳能电池。

薄膜太阳能电池通常包括衬底层、光电转化层、覆盖膜层。其中，由于薄膜太阳能电池通常处于环境较为苛刻的环境当中，在风吹、雨淋、日晒的多种条件下，覆盖膜层需要其具有较高的透光效率的同时，还需要具有较好的阻水性、隔氧性等，其中，普通的薄膜太阳能电池的覆盖膜层的阻水性能要求需要达到了10^-4g/m²/天以下。

其中，覆盖膜层有多层树脂构造而成，覆盖膜层的表层为含氟的透明聚合物，主要作用为增强、耐候、抗紫外、防潮、低介电常数、高击穿电压等。覆盖膜层的底层为表面处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等树脂，主要作用为阻水、隔氧，表层和底层之间由粘结剂进行粘连。

覆盖膜层的底层处理过程为在PET或PEN的表面采用原子层沉积法(Atom LayerDeposition，简写ALD)沉积一薄层无机材料，以制备满足市场需求较薄的覆盖薄层，经测试后，较薄的覆盖薄层阻水性能小于10^-4g/m²/天，无法满足超薄高阻水的性能要求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种薄膜、薄膜太阳能电池及其制备方法，主要解决的技术问题是覆盖膜层阻水性能较差。

为达到上述目的，本发明实施例主要提供如下技术方案：

一方面，本发明的实施例提供一种薄膜的制备方法，包括：

采用第一沉积工艺在树脂膜层的表面上形成第一沉积层，使第一沉积层树脂膜层的表面的表孔被封盖；

采用第二沉积工艺在所述第一沉积层上形成无机材料的第二沉积层。

本发明实施例的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

可选的，前述的制备方法，其中所述第一沉积工艺的侧壁阶梯覆盖率小于所述第二沉积工艺的侧壁阶梯覆盖率。

可选的，前述的制备方法，其中所述第一沉积工艺为化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition,简写CVD)工艺。

可选的，前述的制备方法，其中所述化学气相沉积工艺的沉积温度在50-150摄氏度，压力在10豪托-100托，等离子体功率为10-1000瓦，反应间距为1-100密耳。

可选的，前述的制备方法，其中所述第二沉积工艺为原子层沉积(Atom LayerDeposition，简写ALD)工艺。

可选的，前述的制备方法，其中所述树脂膜层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚丙烯(PP)或聚酰胺(PA)或聚对苯二甲酸四次甲基酯(PBT)或聚酰亚胺(PI)或尼龙；

所述第一沉积层的材料为SiO₂或Si₃N₄或Al₂O₃或TiN；