[发明专利]非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备

说明书

本发明提供一种非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备，该非等离子体刻蚀方法包括：向反应腔室内通入刻蚀气体和还原性气体；其中，刻蚀气体用于与基片反应，以实现对基片的刻蚀；还原性气体用于抑制刻蚀气体的刻蚀速率。本发明提供的非等离子体刻蚀方法，其可以实现非等离子体刻蚀，同时可以提高刻蚀选择比。

技术领域

本发明涉及刻蚀技术领域，具体地，涉及一种非等离子体刻蚀 方法及刻蚀设备。

背景技术

牺牲层刻蚀是集成电路中很重要的工艺，然而随着技术带的更 新，原有的刻蚀方法遇到的瓶颈越来越多。牺牲层材料的移除有湿法 和干法两种。湿法工艺采用腐蚀液腐蚀牺牲层。但是湿法刻蚀后，薄 膜极易出现粘附、破裂，这将降低复合薄膜的成品率和可靠性，尤其 是制程小于28nm后，表面张力会极大地影响器件的良率，此外湿法 刻蚀具有各向同性特点，很难保证特定的图形横向和纵向刻蚀一致。

干法刻蚀主要有等离子体干法刻蚀和非等离子体刻蚀法。对于 等离子体干法刻蚀，在硅刻蚀工艺中，使用CF₄、Cl₂或者HBr作为 刻蚀气体，刻蚀气体在加载射频的条件下产生离子的F^-、Cl^-或者 HBr^-，并与硅发生反应，生成气态氯化硅。但是，由于等离子体干法 刻蚀是使用等离子刻蚀，这不可避免地会使硅片表面有一定的离子注 入，离子注入会导致纳米器件出现电损伤。

因此，为了避免湿法刻蚀和等离子体刻蚀引起的问题，非等离 子刻蚀是一个很好的选择。但是，现有的非等离子体刻蚀存在刻蚀选 择比低的问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了 一种非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备，其可以实现非等离子体刻蚀， 同时可以提高刻蚀选择比。

为实现本发明的目的而提供一种非等离子体刻蚀方法

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备的技术方案中， 向反应腔室内通入刻蚀气体和还原性气体；其中，刻蚀气体用于与基 片反应，以实现对基片的非等离子体刻蚀。还原性气体用于抑制刻蚀 气体的刻蚀速率。降低刻蚀速率有利于提高刻蚀选择比，同时可以更 好的控制反应过程，尤其是低技术带的刻蚀工艺，通过降低刻蚀速率， 可以避免因刻蚀速率太快而影响刻蚀形貌。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的刻蚀方法的流程框图；

图2为本发明第二实施例提供的刻蚀设备的结构图；

图3为本发明第三实施例提供的刻蚀设备的结构图；

图4为本发明第四实施例提供的刻蚀设备的结构图；

图5为本发明第五实施例提供的刻蚀设备的结构图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结 合附图来对本发明提供的非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备进行详细 描述。

本发明提供的非等离子体刻蚀方法，其包括：

向反应腔室内通入刻蚀气体和还原性气体；

其中，刻蚀气体用于与基片反应，以实现对基片的刻蚀；还原 性气体用于抑制刻蚀气体的刻蚀速率。