[发明专利]光学防伪元件及其制备方法和光学防伪产品

权利要求书

1.一种光学防伪元件，其特征在于，该光学防伪元件包括：

透明的起伏结构层，包括第一起伏结构和第二起伏结构，所述第一起伏结构和所述第二起伏结构满足以下条件：所述第一起伏结构的深宽比小于所述第二起伏结构的深宽比，和/或所述第一起伏结构的比体积小于所述第二起伏结构的比体积；以及

干涉光变镀层，形成在所述第一起伏结构上，其中，所述干涉光变镀层在被从两侧观察时均呈现光学变色效果，所述光学防伪元件被透射观察时呈现所述第二起伏结构的边界形成的图像。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，该光学防伪元件还包括：透明的基材，所述起伏结构层形成在所述基材的至少部分区域上。

3.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述干涉光变镀层包括依次层叠的第一部分透明层、第一介电层、反射层、第二介电层和第二部分透明层。

4.根据权利要求3所述的光学防伪元件，其特征在于，所述第一部分透明层与所述第二部分透明层不同，和/或所述第一介电层与所述第二介电层不同。

5.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，所述干涉光变镀层包括依次层叠的第一部分透明层、介电层和第二部分透明层。

6.根据权利要求5所述的光学防伪元件，其特征在于，所述第一部分透明与所述第二部分透明层不同。

7.一种光学防伪产品，其特征在于，该光学防伪产品包括权利要求1-6中任一项所述的光学防伪元件。

8.一种光学防伪元件的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：

在基材的至少部分区域上形成透明的起伏结构层，其中，所述起伏结构层包括第一起伏结构和第二起伏结构，所述第一起伏结构和所述第二起伏结构满足以下条件：所述第一起伏结构的深宽比小于所述第二起伏结构的深宽比，和/或所述第一起伏结构的比体积小于所述第二起伏结构的比体积；以及

在所述第一起伏结构上形成干涉光变镀层，其中，所述干涉光变镀层在被从两侧观察时均呈现光学变色效果，所述光学防伪元件被透射观察时呈现所述第二起伏结构的边界形成的图像。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述第一起伏结构的深宽比小于所述第二起伏结构的深宽比且所述第一起伏结构的比体积小于所述第二起伏结构的比体积以及所述干涉光变镀层远离所述第一起伏结构的最外层不与腐蚀氛围发生反应的情况下，所述在所述第一起伏结构上形成干涉光变镀层包括：

在所述起伏结构层上形成所述干涉光变镀层，其中所述干涉光变镀层至少覆盖所述第一起伏结构；以及将所述基材、所述起伏结构层和所述干涉光变镀层形成的结构放置于所述腐蚀氛围中，直到覆盖在所述第二区域上的所述干涉光变镀层被完全或者部分腐蚀为止；或

在所述起伏结构层上形成所述干涉光变镀层，其中所述干涉光变镀层至少覆盖所述第一起伏结构；在所述干涉光变镀层上涂布涂层，其中，所述涂层至少覆盖所述干涉光变镀层的与所述第一起伏结构对应的部分，所述涂层使得覆盖所述第一起伏结构的所述干涉光变镀层免受所述腐蚀氛围的腐蚀；以及将所述基材、所述起伏结构层和所述干涉光变镀层形成的结构放置于所述腐蚀氛围中，直到覆盖在所述第二区域上的所述干涉光变镀层被完全或者部分腐蚀为止。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述第一起伏结构的深宽比小于所述第二起伏结构的深宽比且所述第一起伏结构的比体积大于所述第二起伏结构的比体积以及所述干涉光变镀层远离所述第一起伏结构的最外层不与腐蚀氛围发生反应的情况下，所述在所述第一起伏结构上形成干涉光变镀层包括：

在所述起伏结构层上形成所述干涉光变镀层，其中所述干涉光变镀层至少覆盖所述第一起伏结构；以及

将所述基材、所述起伏结构层和所述干涉光变镀层形成的结构放置于所述腐蚀氛围中，直到覆盖在所述第二区域上的所述干涉光变镀层被完全或者部分腐蚀为止。