[发明专利]单体双金属板封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201810770996.2 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN108962762B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 王亚琴;梁志忠;刘恺 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/52;H01L21/54;H01L23/049;H01L23/10 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 |
地址: | 214431 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单体 双金属 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,所述方法包括:
S1、提供上金属板和下金属板;
S2、在上金属板的下表面上蚀刻形成至少一个第一凹槽以形成顶板;
在下金属板的上表面电镀线路层,并在所述线路层远离所述下金属板的一侧叠装芯片以形成底板;
S3、结合固定于模具处的顶板和底板以在所述线路层对应顶板第一凹槽的区域内形成空腔,使所述芯片设置于所述空腔内;
S4、向所述空腔内注入注塑料以进行注塑包封;
S5、剥离所述下金属板形成封装体;切割所述封装体形成若干个单体双金属板封装结构;
所述方法还包括:在所述上金属板的上表面开设若干第二凹槽。
2.根据权利要求1所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
步骤S2还包括:
在所述第一凹槽的侧壁和/或顶壁上开设注塑孔;
步骤S4具体包括:通过所述注塑孔向所述空腔内注入注塑料以进行注塑包封。
3.根据权利要求2所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
步骤S2还包括:
M1、在上金属板的下表面贴覆或印刷光阻材料;
M2、通过曝光显影过程去除部分光阻材料以形成蚀刻区域,蚀刻所述蚀刻区域以形成第一凹槽;
M3、去除所述上金属板上剩余的光阻材料以形成顶板。
4.根据权利要求2所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
沿注塑孔朝向凹槽内部的延伸方向上,所述注塑孔的开口尺寸保持不变或依次递减。
5.根据权利要求1所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
步骤S2还包括:
N1、在下金属板的上表面贴覆或印刷光阻材料;
N 2、通过曝光显影过程去除部分光阻材料以形成蚀刻区域,并在所述蚀刻区域电镀线路层;
N3、去除所述下金属板剩余的光阻材料;
N4、在所述线路层远离所述下金属板的一侧叠装芯片以形成底板。
6.根据权利要求1所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,
步骤S3之前,所述方法还包括:
在所述芯片远离所述线路层的一面和/或在所述第一凹槽的内壁面上叠加导热块;
所述顶板和所述底板结合后,所述导热块设置于所述空腔内。
7.一种单体双金属板封装结构,其特征在于,所述单体双金属板封装结构包括:
线路层;
上金属板,所述上金属板下表面蚀刻形成至少一第一凹槽,每一所述第一凹槽与所述线路层之间形成空腔;
开设于单体双金属板封装结构外围并连通所述空腔内部的注塑孔;
位于所述空腔内的芯片,
以及填充所述空腔和所述注塑孔的注塑料;
所述上金属板未开设第一凹槽的其他面上还开设若干第二凹槽。
8.根据权利要求7所述的单体双金属板封装结构,其特征在于,
所述单体双金属板封装结构还包括:设置于所述空腔内的导热块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造