[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置

说明书

本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：在对非易失存储器进行编程时，选中目标字线；以所述目标字线的初始电压为起始电压，根据预设的电压跳变时长和预设的电压跳变差值对所述目标字线施加依次增加的跳变电压，直到施加在所述目标字线上的电压达到编程电压。本发明实施例在对非易失存储器进行编程时，对被选中的目标字线，以目标字线的初始电压为起始电压，根据预设的电压跳变时长和预设的电压跳变差值对目标字线施加依次增加的跳变电压，直到施加在目标字线上的电压达到编程电压，使得在每个阶段目标字线远端和近端的电压建立时间差值较小，提升了非易失存储器数据存储的稳定性。

技术领域

本发明涉及存储器处理技术领域，特别是涉及一种非易失存储器处理方法及装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器NAND闪存(NAND Flash Memory)为例，NAND存储器由多个存储单元(cell)组成，可以实现多次编程，容量大，读写简单，外围器件少，价格低廉。

现有技术中，对NAND闪存进行编程操作时，通常以page为单位，每个page中有多个存储单元，同一page上的各存储单元共用一条WL(Word line，字线)，编程时在选中page的WL施加编程电压，使得该WL对应的存储单元具备编程条件。

然而，发明人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：在对NAND闪存进行编程操作的过程中，经常存在有的存储单元较快实现编程，有的存储单元经过一段时间才能实现编程，导致非易失存储器的性能不稳定。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例的一种非易失存储器处理方法及装置，以提高非易失存储器的稳定性。

根据本发明的第一方面，提供了一种非易失存储器处理方法，所述方法包括：

在对非易失存储器进行编程时，选中目标字线；

以所述目标字线的初始电压为起始电压，根据预设的电压跳变时长和预设的电压跳变差值对所述目标字线施加依次增加的跳变电压，直到施加在所述目标字线上的电压达到编程电压。

优选地，所述目标字线的初始电压为所述目标字线的连通电压；

所述对所述目标字线采用台阶式建立方法施加编程电压的步骤包括：

对所述目标字线以所述连通电压为起点，采用台阶式建立方法施加编程电压。

优选地，所述方法还包括：

对所述非易失存储器中未选中的字线施加连通电压。

优选地，还包括：

将需要编程的第一位线BL接地；

将不需要编程的第二位线BL施加预设电压。

优选地，所述方法应用于多plane非易失存储器。

根据本发明的第二方面，提供了一种非易失存储器处理装置，所述装置包括：

目标字线选中模块，用于在对非易失存储器进行编程时，选中目标字线；

编程电压施加模块，用于以所述目标字线的初始电压为起始电压，根据预设的电压跳变时长和预设的电压跳变差值对所述目标字线施加依次增加的跳变电压，直到施加在所述目标字线上的电压达到编程电压。

优选地，所述目标字线的初始电压为所述目标字线的连通电压。

优选地，还包括：

连通电压施加模块，用于对所述非易失存储器中未选中的字线施加连通电压。

优选地，还包括：