[发明专利]一种非易失存储器处理电路及方法

说明书

本发明实施例提供了一种非易失存储器处理电路及方法，该方法包括：充电电路与存储单元选择电路连接，用于在初始时，对存储单元选择电路进行充电；充电电路与比较电路连接，用于当存储单元选择电路充电稳定后，对比较电路进行充电，且，当比较电路充电稳定后，结束对比较电路和存储单元选择电路的充电；存储单元选择电路通过充电电路，与比较电路构成电流回路，以使比较电路根据电流回路输出高电平或低电平。本发明实施例通过在源线上设置预设电压可以精准的控制流过该存储单元的电流，因此在对非易失存储器中各存储单元进行读取操作时，可以准确的读取各存储单元的数据。

技术领域

本发明涉及存储器处理技术领域，特别是涉及一种非易失存储器处理电路及方法。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器NAND闪存(NAND Flash Memory)为例，NAND存储器由多个存储单元(cell)组成，存储单元可以是负阈值存储单元，即导通阈值电压是负值的存储单元；也可以是正阈值存储单元，即导通阈值电压是正值的存储单元；根据存储单元工作时的导通电流，可以读取存储单元的数据状态，例如擦除状态、编程状态等。

现有技术中，对非易失存储器的各存储单元进行数据读取时，通常将各存储单元的源极接地，然后，根据存储单元工作时的导通电流，可以读取存储单元的数据状态。

然而，发明人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：各非易失存储中存储单元的导通阈值通常会存在不同，现有技术的方案中将具有不同导通阈值的存储单元源极接地，会导致部分存储单元数据读取错误，对存储单元数据读取的准确度不高。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例的一种非易失存储器处理电路及方法，以提高对存储单元数据读取的准确度。

根据本发明的第一方面，提供了一种非易失存储器处理电路，包括：

充电电路、比较电路、存储单元选择电路；

所述充电电路与所述存储单元选择电路连接，用于在初始时，对所述存储单元选择电路进行充电；

所述充电电路与所述比较电路连接，用于当所述存储单元选择电路充电稳定后，对所述比较电路进行充电，且，当所述比较电路充电稳定后，结束对所述比较电路和所述存储单元选择电路的充电；

所述存储单元选择电路通过所述充电电路，与所述比较电路构成电流回路，以使所述比较电路根据所述电流回路输出高电平或低电平；其中，所述存储单元选择电路中的源线电压设置为预设电压；

所述比较电路的输出端作为所述非易失存储器处理电路的输出端。

优选地，所述充电电路包括：

NMOS晶体管M1、M2、M3、第一电源VDD；

所述M1的漏极与所述第一电源VDD连接；

所述M1的源极与所述M3的漏极连接，以作为所述充电电路与所述比较电路的连接端，为所述比较电路充电；

所述M2的漏极与所述第一电源VDD连接；

所述M2的源极与所述M3的源极连接，以作为所述充电电路与所述存储单元选择电路的连接端，为所述存储单元选择电路充电。

优选地，所述比较电路包括：

比较器，所述比较器的第一输入端设置有比较电压VTH，所述比较器的第二输入端与所述M1的源极连接，以接收所述充电电路的充电电压；

所述比较器的第二输入端与所述M3的漏极连接，以通过所述M3与所述存储单元选择电路构成电流回路；