[发明专利]一种非易失存储器处理电路及方法

权利要求书

1.一种非易失存储器处理电路，其特征在于所述电路包括：

充电电路、比较电路、存储单元选择电路；

其中，所述存储单元选择电路中，包括至少一对存储单元串；每对存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串，所述第一存储单元串的位线BLO和所述第二存储单元串的位线BLE之间连接有电容CBL；各所述存储单元串与源线SL连接；

所述充电电路与所述存储单元选择电路连接，用于在初始时，对所述存储单元选择电路中第一存储单元串的位线BLO进行充电；及，对所述源线SL进行充电；当所述第一存储单元串的位线BLO充电稳定后，通过所述源线SL对所述第二存储单元串的位线BLE进行充电；

所述充电电路与所述比较电路连接，用于当所述第二存储单元串的位线BLE充电稳定后，对所述比较电路进行充电，且，当所述比较电路充电稳定后，结束对所述比较电路和所述存储单元选择电路的充电；

所述存储单元选择电路中的第二存储单元串通过所述充电电路，与所述比较电路构成电流回路，以使所述比较电路根据所述电流回路输出高电平或低电平；

所述比较电路的输出端作为所述非易失存储器处理电路的输出端；

所述充电电路包括：

NMOS晶体管M1、M2、M3、第一电源VDD；

所述M1的漏极与所述第一电源VDD连接；

所述M1的源极与所述M3的漏极连接，以作为所述充电电路与所述比较电路的连接端，为所述比较电路充电；

所述M2的漏极与所述第一电源VDD连接；

所述M2的源极与所述M3的源极连接，以作为所述充电电路与所述存储单元选择电路的连接端，为所述存储单元选择电路充电。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述比较电路包括：

比较器，所述比较器的第一输入端设置有比较电压VTH，所述比较器的第二输入端与所述M1的源极连接，以接收所述充电电路的充电电压；

所述比较器的第二输入端与所述M3的漏极连接，以通过所述M3与所述存储单元选择电路构成电流回路；

电容C，所述电容C的第一端与所述比较器的第二输入端连接，所述电容C的第二端接地。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述存储单元选择电路包括：

位线选择场效应单元M4、存储单元确定模块；

所述M4的漏极与所述M3的源极连接；

所述M4的源极与各所述存储单元确定模块的位线连接。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述存储单元确定模块包括：位线开关SGD和源线开关SGS；

所述位线开关SGD用于，控制所述存储单元确定模块与所述存储单元确定模块的位线之间的开启或关断；

所述源线开关SGS用于，控制所述存储单元确定模块与所述存储单元确定模块的源线之间的开启或关断。