[发明专利]一种强吸收光热探测器及其制备方法在审
申请号: | 201810772701.5 | 申请日: | 2018-07-14 |
公开(公告)号: | CN108922939A | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 刘翡琼 | 申请(专利权)人: | 刘翡琼 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710119 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光热 探测结构 探测器 热敏感 微孔 贵金属颗粒 第二电极 第一电极 基底层 强吸收 入射光 制备 探测 吸收 探测器技术领域 表面等离激元 内壁表面 热敏材料 增加应用 灵敏度 上表面 共振 宽频 传递 | ||
1.一种强吸收光热探测器,其特征在于:由基底层、光热探测结构、第一电极和第二电极构成;所述光热探测结构覆于基底层之上;所述第一电极和第二电极分别连接于所述光热探测器的两侧;所述光热探测结构包括热敏感线;所述热敏感线上表面设有多个微孔,所述热敏感线的表面和微孔的内壁表面均附有一层贵金属颗粒层。
2.根据权利要求1所述的强吸收光热探测器,其特征在于:所述光热探测结构与基底层之间连接有一介质层。
3.根据权利要求1所述的强吸收光热探测器,其特征在于:热敏感线的厚度为3~4μm。
4.根据权利要求1所述的强吸收光热探测器,其特征在于:所述微孔的深度不小于2μm,微孔的直径为0.3~1μm;所述贵金属颗粒层厚度不大于0.1μm。
5.根据权利要求1所述的强吸收光热探测器,其特征在于:所述基底层为ITO玻璃;所述介质层为透明或半透明的绝缘非金属材料制成;所述热敏感线由锗化硅材料制成;所述贵金属为金。
6.根据权利要求1-5所述任一强吸收光热探测器的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1、准备基底层,利用电子束蒸发法在基底层上蒸镀二氧化硅,形成介质层;
步骤2,利用物理气相沉积法在步骤1形成的介质层上蒸镀锗化硅,形成热敏感线;
步骤3、利用图形发生器设计微孔的形状,然后利用聚焦离子束技术在步骤2形成的热敏感线上刻蚀微孔;
步骤4、利用电子束蒸发法在步骤3制备好的含有微孔的热敏感线上蒸镀贵金属颗粒,在热敏感线表面和微孔内壁表面形成一层贵金属颗粒层,得到光热探测结构;
步骤5、利用电化学蒸镀法,真空条件下在步骤4形成的光热探测结构两侧分别蒸镀第一电极和第二电极,用于连接外电路,即可得到所述强吸收光热探测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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