[发明专利]一种多传感器的协同制造工艺流程

权利要求书

1.一种多传感器的协同制造工艺流程，其特征在于，其具体制备工艺流程如下：

S1、采用SOI圆片作为MEMS传感器层，SOI顶层硅为n型掺杂；

S2、进行两次正面离子注入，首先对整个SOI圆片进行离子注入并退火，使压力传感器形成P型压阻区域，使电场传感器形成低阻区域，然后向金属和硅之间注入高浓度离子形成欧姆接触；

S3、对SOI圆片的正反面进行沉积形成钝化层薄膜；

S4、将SOI圆片的正面进行溅射电极和引线；

S5、对SOI圆片进行器件层刻蚀，采用ICP干法刻蚀顶层硅直至SOI埋氧层，形成电场传感器的屏蔽电极、感应电极、激励电极鱼骨，以及加速度传感器的质量块和交叉电容；

S6、对SOI圆片进行衬底层刻蚀；

S7、对SOI圆片的埋氧层进行刻蚀，采用HF气体对SOI的埋氧层进行干法刻蚀，刻蚀完毕后彻底释放悬空结构；

S8、对MEMS于CMOS三位集成。

2.根据权利要求1所述的多传感器的协同制造工艺流程，其特征在于：所述步骤S3的具体方法为，采用PECVD正反面沉积较薄的绝缘层，作为器件钝化层，并为背面刻蚀提供掩膜，用BHF刻蚀正面钝化层，在绝缘层上形成接触孔。

3.根据权利要求1所述的多传感器的协同制造工艺流程，其特征在于：所述步骤S4的具体方法为，溅射Pt金属形成金属互连和键合盘，并同时形成温度传感器的热敏电阻和湿度传感器的下层Pt电极，旋涂聚酰亚胺薄膜，利用剥离制造湿度传感器的上电极，并利用上电极RIE刻蚀聚酰亚胺薄膜。

4.根据权利要求1所述的多传感器的协同制造工艺流程，其特征在于：所述步骤S6的具体方法为，从SOI圆片背面刻蚀SOI衬底层至SOI埋氧层，去除电场传感器、加速度传感器、温度传感器和压力传感器下方对应的SOI衬底层。

5.根据权利要求1所述的多传感器的协同制造工艺流程，其特征在于：所述步骤S8的具体方法为采用铜热压和聚酰亚胺混合键合，在300℃实现MEMS圆片上TSV与CMOS的互连线的铜热压键合。